[发明专利]用于低K膜形成的紫外矫正方法和装置有效
| 申请号： | 01101738.4 | 申请日： | 2001-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1319883A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·H·琼克;尼古拉·R·格罗夫;马利扬·E·阿兹拉克 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种在半导体制备过程中用于形成低k介电膜的方法和系统。首先,在半导体晶片上沉积掺碳的硅氧化物膜。然后用诸如紫外能量的光能来矫正沉积的膜。在一个实施例中,至少30%的光能其频率比可见光的频率高,用于晶片上的光能不会明显地使之加热。适于形成和矫正介电膜的一套装置包括耦合到有机硅烷源的第一室,向容纳其中的晶片施加光能的第二室,还包括自动部件,其控制晶片在一室和二室之间运动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 紫外 矫正 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体晶片上形成低k介电层的方法，其特征在于步骤：在半导体晶片上沉积掺碳的硅氧化物膜；把光能作用于掺碳的硅氧化物膜，其中至少30％的光能其频率高于可见光的频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
