[发明专利]用红外线加热的焊锡凸块和引线接合有效
| 申请号： | 00819641.9 | 申请日： | 2000-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1454393A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | P·C·翁 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟,王初 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可靠地加热堆栈式裸晶组件或倒装芯片组件的基板及/或裸晶的接合区，以确保高品质焊料或引线接合在基板与裸晶之间的方法与装置。实施方案包含在引线接合前及引线接合过程期间利用红外线灯或红外线枪照射裸晶的上表面，以加热堆栈式裸晶封装的裸晶的引线接合区，或利用红外线灯或红外线枪的照射来加热倒装芯片所安装的基板的上表面的接合片，以使其到达到所需温度，接着将倒装片接合至基板上，使用红外线照射直接加热该裸晶及/或基板的上表面，确保在必须时间周期内焊接区个别加热到适当温度，因此，使线路焊接或裸晶焊接的高品质成为可能，同时增加了产率。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 加热 焊锡 引线 接合 | ||
【主权项】：
1.一种加热附着于基板上的半导体裸晶的上表面的接合区的方法，该方法包括以红外线照射该裸晶的上表面，以加热该接合区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00819641.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有免提语音状态的移动通信终端和转换到该状态的程序
- 下一篇：耳环接头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
