[发明专利]横向结型场效应晶体管无效
| 申请号： | 00817600.0 | 申请日： | 2000-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1413360A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 原田真;弘津研一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种横向结型场效应晶体管，包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在上述n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在上述p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在上述n型SiC膜上的、上述沟道区的两侧；以及栅极(14)，与上述n型SiC衬底相接来设置。
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