[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 00817076.2 | 申请日： | 2000-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1409875A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 森田大介;山田元量 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的发光元件，具有由含有铟(In)的氮化物半导体的活性层的发光元件，尤其是为了要提高发出长波长(550nm以上)的光的发光元件的发光输出，其在n型半导体层与p型半导体层之间形成有活性层，该活性层由有由含有铟(In)的Inx1Ga1－x1N(x1＞0)的井层、及由含有形成于该井层上的铝(Al)的Aly2Ga1－y2N(y2＞0)的第一阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，是在n型半导体层与p型半导体层之间形成有活性层，其特征在于：所述活性层，包含：由含有铟(In)的Inx1Ga1-x1N(x1＞0)而构成的井层、由含有形成于所述井层上的铝(Al)的Aly2Ga1-y2N(y2＞0)而构成的第一阻挡层。
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