[发明专利]采用氨中退火来建立超薄栅极绝缘体的方法无效
| 申请号： | 00816802.4 | 申请日： | 2000-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1423832A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | E·K·伊波 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造包含硅基底的半导体装置的方法,包括在基底上形成一层薄的氧化物底部薄膜,随后在氨中使该基底退火。然后以常规方法在栅极绝缘体上形成场效晶体管(FET)栅极。所产生的栅极绝缘体在电气上绝缘,并相比于传统的栅极氧化物绝缘体,其性能并无降低。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 退火 建立 超薄 栅极 绝缘体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：准备一个半导体基底；在该基底上形成一氧化物底部薄膜(oxidebasefilm)；接着使该基底在氨中退火；接着在部分的所述薄层上形成场效晶体管(FET)栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
