[发明专利]用于自调准Cu扩散阻挡层的集成电路制造方法

摘要

本申请涉及一种自调准金属扩散阻挡层的微电子器件。这种微电子器件具有基片(2)和基片上的介电层(4)。穿过介电层(4)形成具有内壁的沟。在沟的内壁上具有阻挡层金属(6)的衬里，填充金属(8)位于沟内壁衬里之间的沟内。填充金属(8)和阻挡层金属(6)具有基本上不同的去除选择性。阻挡层金属的覆层(14)位于填充金属上，该覆层跨越沟内壁上的衬里，并与沟内填充金属的顶部相一致。

主权项

1.一种用于形成微电子器件的方法，其中包括：(a)在基片上形成第一介电层；(b)穿过该第一介电层，形成具有内壁的沟；(c)采用第一层阻挡层金属衬在沟的内壁上，并覆盖在第一介电层的顶上；(d)采用填充金属填充所述沟，并采用一层填充金属覆盖在第一层阻挡层金属的顶上，其中填充金属和阻挡层金属具有显著不同的去除选择性；(e)从第一层阻挡层金属的顶上去除填充金属层，并在沟内的填充金属中形成凹槽，该凹槽延伸到第一介电层上第一层阻挡层金属顶部下面的水平面；(f)采用所述阻挡层金属填充凹槽，在第一层阻挡层金属的顶上任选地沉积第二层阻挡层金属；(g)从第一介电层的顶部去除任选的第二层阻挡层金属，并留下凹槽中的阻挡层金属，使凹槽中的阻挡层金属与沟中下面的填充金属的顶部相一致；(h)在第一介电层上和在凹槽内的阻挡层金属上沉积第二介电层。