[发明专利]可低温烧结的低损耗介质陶瓷组合物及其制备方法无效
申请号: | 00809330.X | 申请日: | 2000-08-30 |
公开(公告)号: | CN1117707C | 公开(公告)日: | 2003-08-13 |
发明(设计)人: | 金润镐;金孝泰 | 申请(专利权)人: | 韩国科学技术研究院 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;H01B3/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩,刘金辉 |
地址: | 韩国汉城*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在低温烧结的低损耗高频介质陶瓷组合物及其制造方法,特征在于使用低价材料,如ZnO、MO(M=Mg、Co、Ni),实现了优异的介电性能,例如与传统高频陶瓷组合物相比,明显更低的烧结温度和更高的品质因数和介电常数、稳定的温度系数、和根据组成而变化的温度补偿性能。此外,可以使用Ag、Cu、它们的合金或Ag/Pd合金作为内电极。因此,本发明的组合物可以用作所有种类的高频器件的介质材料,如叠层片式电容器、叠层片式滤波器、叠层片式电容器/电感器复合器件和模块、低温烧结基板、谐振器或滤波器和陶瓷天线。 | ||
搜索关键词: | 低温 烧结 损耗 介质 陶瓷 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由(Zn1-xMx)TiO3和yTiO2混合构成的高频介质陶瓷,满足下列条件:其中,M是Mg、Co或Ni,在M为Mg的情况下,‘x’为0≤x≤0.6,在M为Co的情况下,‘x’为0≤x≤1,在M为Ni的情况下,‘x’为0≤x≤1,并且0≤y≤0.8。
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