[发明专利]有本征吸气的外延硅晶片的制造方法无效
| 申请号： | 00808977.9 | 申请日： | 2000-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1355932A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·C－C·杨;达勒尔·D·瓦特金斯 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造表面上淀积外延层的硅晶片的新方法,外延层淀积在硅晶片表面上。晶片至少加热到约1175℃,在外延淀积中和/或淀积后进行热处理,受热晶片按至少约10℃/秒的冷却速度冷却一段时间但(a)晶片温度高于1000℃,(b)晶片不接触托架,该方法是在同一反应室内进行外延淀积,加热和冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 吸气 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造表面上淀积有外延层的硅晶片的方法，包括以下步骤：在硅晶片表面上淀积外延层；在外延层淀积中和/或淀积后，将晶片加热到至少约1175℃；按至少约10℃/秒的冷却速度冷却被加热的晶片一段时间，且(a)晶片的温度高于1000℃，(b)晶片不接触托架；其中，外延层淀积、加热和冷却是在同一反应室内进行的。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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