[发明专利]制备共晶陶瓷的方法无效
申请号: | 00808245.6 | 申请日: | 2000-03-29 |
公开(公告)号: | CN1353676A | 公开(公告)日: | 2002-06-12 |
发明(设计)人: | 大森守;平井敏雄;鸨田正雄 | 申请(专利权)人: | 大森守;住友石炭矿业株式会社 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉,丁业平 |
地址: | 日本宫城*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明有益地提供一种具有均匀致密结构的烧结共晶陶瓷的制备方法,尤其提供含有稀土铝化合物的共晶体的制备方法。该方法允许将氧化铝和稀土铝化合物的共晶粉末,使用火花等离子体烧结设备在5-100MPa的压力下于真空或非氧化性气氛中在1300-1700℃的温度下保持1-120分钟,从而使晶体生长,以获得稀土铝共晶结构晶体。 | ||
搜索关键词: | 制备 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备烧结共晶陶瓷的方法,包括允许共晶陶瓷粉末作为原料,使用火花等离子体烧结设备在5-100Mpa的压力下于真空或非氧化性气氛中在500-2000℃的温度下保持1-120分钟,从而使晶体生长。
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