[发明专利]多官能硅基低聚物/聚合物纳米孔二氧化硅薄膜的表面改性中的应用无效
| 申请号： | 00805497.5 | 申请日： | 2000-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1345464A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | H·J·吴;J·S·德拉格 | 申请（专利权）人： | 联合讯号公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;C01B33/159 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于处理在基片上的二氧化硅薄膜的方法,该方法包括使合适的二氧化硅薄膜与有效量的表面改性剂反应,其中二氧化硅薄膜存在于基片上。该反应在足以使表面改性剂在薄膜上形成疏水涂层的适当条件和时间内进行。表面改性剂含有至少一种能与二氧化硅薄膜上的硅烷醇反应的低聚物或聚合物。本发明还公开包括这种薄膜的介电薄膜和集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 官能 硅基低聚物 聚合物 纳米 二氧化硅 薄膜 表面 改性 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种处理基片上二氧化硅薄膜的方法，该方法包括使合适的二氧化硅薄膜与含有表面改性剂的组合物反应，其中所述二氧化硅薄膜存在于基片上，并且其中所述反应在足以使所述表面改性剂在所述薄膜上生成疏水涂层的条件和时间下进行，所述表面改性剂含有至少一类能与所述二氧化硅薄膜上的硅烷醇反应的低聚物或聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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