[发明专利]在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂无效
| 申请号： | 00805045.7 | 申请日： | 2000-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1166821C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | R·J·菲利浦;S·J·克尔特纳;J·D·霍德尔 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种在单晶硅生长工艺中使用的锶掺杂硅熔体的制备方法。多晶硅和锶在二氧化硅坩埚中熔化。在熔化以及晶体生长的过程中，锶起失透促进剂的作用并且在与熔体接触的坩埚内表面上产生失透二氧化硅层，从而降低了在熔体以及生长的晶体中的污染物水平。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 过程 使用 硅熔体 掺杂 | ||
【主权项】：
1.在二氧化硅坩埚中用于生长单晶硅晶锭的硅熔体的制备方法，所述方法包括：将多晶硅装入具有底壁和侧壁结构的坩埚内，所述底壁和侧壁结构具有内表面和外表面；在坩埚内将多晶硅熔化成硅熔体；用锶对所述熔体进行掺杂；以及通过控制加入到所述熔体中的锶量，在与所述熔体接触的坩埚的一个内表面上形成消玻二氧化硅层，所述层由熔体中的锶形核。
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