[发明专利]含有多氟烷氧离子配体的弱配位阴离子

摘要

本发明提供了一种包括多氟代阴离子的化合物及其用途。具体地说,本发明提供了一种包括阴离子的化合物,所述阴离子包括一种与过渡金属或III,IV或V族元素配位的多氟代烷氧离子。

主权项

1.一种包括下式单阴离子的化合物：其中M1是过渡金属或III，IV或V族元素，条件是M1不是Cu；Z各自独立地为O，S或NR6R7；X各自独立地为卤素；R1各自独立地为一个化学键或C1-C4的亚烷基；R2，R3或R4各自独立地为H，F，C1-C10的氟代烷基，C4-C20的氟代芳基，C3-C10的环烷基，C3-C10的氟代环烷基，C1-C10的烷基或C4-C20的芳基，条件是R2，R3和R4的至少一个是F，C1-C10的氟代烷基，C3-C10的氟代环烷基或C4-C20的氟代芳基；R5各自独立地为C1-C10的氟代烷基，C4-C20的氟代芳基，C4-C20的芳氧离子，C4-C20的氟代芳氧离子，C1-C10的烷氧离子或C1-C10的氟代烷氧离子；R6和R7各自独立地为H或C1-C10的烷基；和a，b和c各自独立地为0-4的整数，条件是a，b和c之和是2-8之间的整数；和条件是当R2是C1-C4的氟代烷基，R1是化学键，b和c是0，和R3是C1-C10的烷基或C1-C10的氟代烷基时，则R4是F，C1-C10的氟代烷基或C4-C21的氟代芳基。