[发明专利]浅结半导体器件的制造方法

摘要

集成电路衬底(22)被提供成具有带相反的侧壁的晶体管栅元件(36)。第一间隔(32)从一个侧壁延伸，而第二间隔(34)从另一个侧壁延伸。利用第一和第二间隔(32，34)相应地掩蔽衬底(22)的第一和第二区，对衬底(22)的源/漏区进行掺杂。在掺杂之后，清除第一和第二间隔(32，34)，从而暴露第一和第二区。然后对暴露的第一和第二区进行掺杂。在这一第二掺杂步骤之后，对衬底(22)进行加热，以便激活掺杂剂。在第一区上制作第三间隔，然后在第二区上制作第四间隔。建立硅化物接触。

主权项

1.一种方法，它包含(a)提供具有从中延伸的晶体管栅元件的集成电路衬底，此元件具有相对的侧壁，它具有从一个所说侧壁延伸的第一间隔以及从另一个侧壁延伸的第二间隔；(b)对衬底的源区和漏区进行掺杂，在所述掺杂过程中，第一间隔掩蔽源区与元件之间的衬底第一区，而第二间隔掩蔽漏区与元件之间的衬底第二区；(c)在所述掺杂之后，清除第一间隔和第二间隔；(d)在所述清除之后，借助于对第一区和第二区进行掺杂，建立第一区中的第一源/漏延伸和第二区中的第二源/漏延伸；(e)在所述建立之后，对衬底进行加热，以便同时激活源区、漏区、第一区和第二区中的掺杂剂；(f)制作第一区上的第三间隔和第二区上的第四间隔；以及(g)在制作第三间隔和第四间隔之后，提供与元件、源区、漏区中的至少一个的硅化物接触。