[发明专利]热电转换材料及其制作方法有效
| 申请号： | 00800502.8 | 申请日： | 2000-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1300446A | 公开（公告）日： | 2001-06-20 |
| 发明（设计）人： | 贞富信裕;山下治;西乡恒和;能见正夫 | 申请（专利权）人： | 住友特殊金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅基热电转换材料和热电转换元件,其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Seebeck系数和电导率,这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组成的晶粒,其中至少一种添加元素淀积在晶粒边界处,结果得到了极大的Seebeck系数和低的热导率,使热电转换速率显著增大,并且硅基热电转换材料主要由硅组成,硅是丰富的资源,几乎不会带来环境污染的问题。例如,向硅基热电转换材料添加碳、锗或锡能使热导率显著降低而不会改变硅基材料的载流子浓度。对于降低热导率,5—10原子%的掺杂量是理想的,且如果为产生p型或n型半导体而加入添加元素和在多晶硅的晶粒边界淀积了Ⅳ族元素,则所得的p型或n型半导体的载流子浓度为1017－1021(M/m3),热导率为50W/m·K或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 转换 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1．一种具有晶体结构的热电转换材料，其中在硅中含有0.001-30原子％的一种添加元素或几种添加元素的组合，至少一种类型的添加元素淀积在其中硅占多晶结构的至少80原子％的晶粒上及其晶粒边界处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友特殊金属株式会社，未经住友特殊金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00800502.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
