[实用新型]DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延片无效
| 申请号： | 00203992.3 | 申请日： | 2000-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN2413388Y | 公开（公告）日： | 2001-01-03 |
| 发明（设计）人： | 元金山;张富文;李向文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体光电子材料制备领域,涉及一种对DH－Ga1-xAlXAsLED液相外延材料片的改进。它包括衬底4、限定层3、发光层2、窗口层1,统一考虑发光效率和制管工艺成品率,发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道制管工艺创造有利条件、保证了成品率。本装置生产的外延片结构表面光亮,凸状畸变明显变小,经超声打孔技术测量,其发光强度一般为10—12mcd/20mA,制管成品率达70%。 | ||
| 搜索关键词： | dh ga1 xalxasled 外延 | ||
【主权项】：
1、一种DH—Ga1—xAlxAsLED液相外延片，它包括衬底4，其特征在于：衬底4的厚度为：300—400μm、铝Al组份为：0、载流子浓度为：1×1019cm—3；限定层3的生长厚度为：10—15μm、铝Al组份为：0．70—0．77、载流子浓度为(1—2)×1018cm—3；发光层2的生长厚度为：1．0—2．0μm、铝Al组份为：0．40—0．44、载流子浓度为：(3—7)×1017cm—3；窗口层1生长厚度为：15—25μm、铝Al组份为：0．70—0．75、载流子浓度为：(0．7—1)×1018cm—3。
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