[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 00137613.6 | 申请日： | 2000-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1304167A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | 江间达彦;伊藤信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明可使采用扫描涂敷方法形成的涂敷膜膜厚分布均匀。对于具有校正因液状膜中所包含的溶剂挥发生成汽化热而产生的液状膜的温度分布那样温度分布的被处理衬底,采用扫描涂敷方法形成液状膜之后,除去液状膜的溶剂,形成涂敷膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．成膜方法，包括液状膜形成工序，对于被处理衬底，从滴下喷嘴滴下药液，药液按在该衬底上的某一扩散量来调整且在溶剂中添加固态成分，滴下的该液体保留在该衬底上，同时使所述滴下喷嘴与所述被处理衬底相对移动，从该衬底的滴下开始部至滴下结束部在所述被处理衬底上形成液状膜；和除去所述液状膜中的溶剂来形成涂敷膜的工序，在所述液状膜形成工序中，对所述被处理衬底进行加热或冷却，以便校正包含于所述液状膜中的溶剂的挥发所致汽化热产生的所述液状膜的温度分布，同时在所述被处理衬底上形成液状膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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