[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 00134730.6 | 申请日： | 2000-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1305220A | 公开（公告）日： | 2001-07-25 |
| 发明（设计）人： | 浅冈保宏;横井直树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件的制造方法,目的在于除去半导体器件的表面上形成的多晶硅膜,即在其衬底膜上不产生损伤,且不产生腐蚀残渣。在硅晶片的表面上成膜多晶硅膜。把硅晶片设置在分批式的湿式腐蚀处理装置中。以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液,开始多晶硅膜湿式腐蚀(步骤100)。在湿式腐蚀中途,在使用的药液中,经过预定时间追加APM(步骤104～108)。如果经过预定处理时间,那么结束APM的湿式腐蚀(步骤112)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和在所述湿式腐蚀中途，在所述药液中追加APM或氨的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
