[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

降低相邻布线间产生的布线电容，获得半导体器件的制造方法。在形成TEOS膜(1)后，通过CVD法或PVD法，在TEOS膜(1)上形成FSG膜(2)。而且，为了稀有气体原子可进入膜中，继续FSG膜的CVD或PVD，形成稀有气体原子含有层(3)。接着，以稀有气体原子含有层(3)上形成的抗蚀剂(4)用作掩模，顺序地腐蚀稀有气体原子含有层(3)和FSG膜(2)。然后，在除去抗蚀剂(4)后，在整个表面上形成阻挡金属(6)和铜膜(7)。接着，通过CMP法，顺序地研磨除去铜膜和阻挡金属(6)，直至稀有气体原子含有层(3)的上表面露出。由此，作为未被研磨的残留铜膜(7)，形成填充沟(5)内的铜布线(9)。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：(a)在基底绝缘层上形成在上表面内带有包含稀有气体原子的稀有气体原子含有层的绝缘膜的工序；(b)通过有选择地除去所述绝缘膜，直至露出所述基底绝缘层来形成沟的工序；(c)在通过所述工序(b)获得的结构上形成金属膜的工序；和(d)研磨除去所述金属膜，直至露出所述绝缘膜的所述上表面的工序。