[发明专利]磁隧道结器件、使用该器件的磁存储器和单元及其存取方法无效
申请号: | 00131059.3 | 申请日: | 2000-12-09 |
公开(公告)号: | CN1305234A | 公开(公告)日: | 2001-07-25 |
发明(设计)人: | 南方量二;道嶋正司;林秀和 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/08;G11C11/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在构成为磁隧道结器件的存储层的强磁性层上经金属层间隔中央部地形成闭合磁路层,由上述强磁性层和上述闭合磁路层形成闭环。这样,即使把图案细微化也能够保持稳定的磁化状态。 | ||
搜索关键词: | 隧道 器件 使用 磁存储器 单元 及其 存取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁隧道结器件,至少由第一磁生层、绝缘层和第二磁性层按顺序层叠而成,其特征在于至少包含经金属层间隔中央部地设置在不同于所述第一或第二磁性层的所述绝缘层层叠侧的一侧的第三磁性层(17);第一或第二磁性层与第三磁性层构成闭合磁路。
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