[发明专利]EL显示装置和用于制造所述显示装置的方法有效
| 申请号： | 00128756.7 | 申请日： | 2000-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1289151A | 公开（公告）日： | 2001-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;水上真由美;小沼利光 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;H01L27/15;H05B33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件,其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上,在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112),同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰,从而使得以高的清晰度显示图像。 | ||
| 搜索关键词： | el 显示装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种EL显示装置，包括：有源阵列底板，在其上设置有多个像素，每个像素包括TFT，和TFT电气相连的像素电极，以及包括像素电极作为阴极的EL元件；以及和有源阵列底板相对的相对底板，其中相对底板具有光屏蔽膜，其分别被设置在相应于有源阵列底板上的各个像素的周边的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
