[发明专利]积层陶瓷电子元件的制造方法有效
| 申请号： | 00126443.5 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1289135A | 公开（公告）日： | 2001-03-28 |
| 发明（设计）人： | 大盐稔 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 不受由烧成时陶瓷积层体产生的有机物分解气的影响,保持烧成炉内的环境气氛稳定。具有对在内部由陶瓷层7和内部电极5,6数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序。在该烧成工序中,相对于单位时间内送入烧成炉内的陶瓷积层体3的有机物量,以200～1200L/g,最好300～900L/g的环境气流量比,一边将环境气通入烧成炉21内,一边在烧成炉21内对陶瓷积层体13进行烧成。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层(7)和内部电极(5)、(6)的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，以200-1200L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉(21)内，同时在烧成炉(21)内对陶瓷积层体(3)进行烧成。
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