[发明专利]用瞬时等离子体光谱分析监视和控制激光冲击冷锻的方法无效
| 申请号： | 00122556.1 | 申请日： | 2000-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1293362A | 公开（公告）日： | 2001-05-02 |
| 发明（设计）人： | R·L·特兰托;U·W·苏 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73;C21D10/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 工件激光冲击冷锻处理的质量保证方法包括测量和记录等离子体持续期短时间内的瞬时光强度数据;其中等离子体与来自生产型激光冲击冷锻处理期间发射的激光散粒的气化材料有关。然后记录的瞬时数据被分析以得到等离子体瞬时光谱,并用来提供生产型激光冲击冷锻处理的统计控制。本发明的一个相关函数基于每一次激光发射的时间积分的光谱峰值强度波长曲线并为此在多次或所有发射的每一个等离子体持续期内的多个时间点确定峰值强度波长。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬时 等离子体 光谱分析 监视 控制 激光 冲击 方法 | ||
【主权项】：
1．生产型工件的激光冲击冷锻处理的质量控制测试方法，该方法包括如下步骤：(a)从激光冲击冷锻装置向与所述工件有关的金属表面发射至少一个激光光束脉冲并形成具有持续期的等离子体，所述等离子体在该持续期内在所述表面下形成一个区域，所述区域具有所述激光冲击冷锻处理产生的深压缩残留应力，(b)在所述等离子体持续期的时间间隔内，在相应的多个时间点测量多个由等离子体辐射的发射光谱，(c)将光谱内的能量相对分布与合格或不合格判断标准进行比较，以便接受或拒绝所述工件。
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