[发明专利]有测试模式判断电路的半导体存储器无效
| 申请号： | 00119953.6 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1303101A | 公开（公告）日： | 2001-07-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝;月川靖彦;有富谦悟;朝仓干雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4078;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器,设有测试模式判断电路(26),该电路(26)在第一次WCBR循环中,根据地址关键字激活测试模式进入信号(TME),在测试模式进入信号(TME)被激活期间内,在第二次WCBR循环中,根据地址关键字有选择地激活测试模式信号(TM1～TM4)。除了已经激活的测试模式信号外,测试模式判断电路(26)还激活另外的测试模式信号。因此,该DRAM难以错误地进入测试模式,而且能同时进入多种测试模式。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 模式 判断 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1．一种有存储单元阵列(10)的半导体存储器，其特征在于备有：测试模式判断电路(26)，该测试模式判断电路(26)在行地址选通信号(/RAS)被激活之前，在写启动信号(/WE)及列地址选通信号(/CAS)被激活时，根据地址关键字激活测试模式进入信号(TME)，在该测试模式进入信号(TME)被激活期间内，在行地址选通信号(/CAS)被激活之前，在写启动信号(/WE)及列地址选通信号(/CAS)被激活时，根据地址关键字有选择地将多个测试模式信号(TM1～TM4)激活；以及对应于多个测试模式信号(TM1～TM4)设置的多个测试控制电路(281～284)，各测试控制电路响应对应的测试模式信号，对半导体存储器进行预定的测试。
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