[发明专利]制造光电器件的方法有效
| 申请号： | 00118807.0 | 申请日： | 2000-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1276622A | 公开（公告）日： | 2000-12-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有高操作性能和稳定性的光电器件,以及制造该光电器件的方法。Lov区207设置在含有驱动电路的n－沟道TFT302中,实现了抗热流干扰的TFT结构。Loff区217～220设置在含有像素部分的n－沟道TFT304中,实现了具有低断开电流值的TFT结构。通过层叠第一布线和电阻率比第一布线低的第二布线形成输入－输出信号布线305和栅极布线306,并且布线的电阻率大为减小。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光电 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电器件，在其基片上具有像素部分和驱动电路，该光电器件包括：所说驱动电路的n-沟道TFT，有至少一个LDD区，该LDD区的部分或全部将所说驱动电路的所说n-沟道TFT的栅极用插在它们之间的栅绝缘膜覆盖起来；所说像素部分的像素TFT，有至少一个LDD区，该LDD区不用插在它们之间的栅绝缘膜覆盖所说像素TFT的栅极；和包括第一布线和第二布线的布线，其中第一布线与所说像素TFT的所说栅极有相同的材料并且形成在同一层中，第二布线的电阻率比所说第一布线的低；其中所说第一布线和所说第二布线是层叠的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
