[发明专利]真空微电子多功能传感器及制备方法无效

专利信息
申请号: 00109609.5 申请日: 2000-06-16
公开(公告)号: CN1153953C 公开(公告)日: 2004-06-16
发明(设计)人: 夏善红;苏杰 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;G01L21/00;G01K7/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 100080*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种真空微电子多功能传感器。在真空压力传感器的阳极版的背面制备薄膜温度传感器,所述的传感器是阵列传感器。本发明将两种传感器集成,可以形成一个双功能的传感器,既能对外界压力的分布进行测量,又能对环境的温度进行感知。
搜索关键词: 真空 微电子 多功能 传感器 制备 方法
【主权项】:
1.一种真空微电子多功能传感器,包括真空微电子压力传感器阵列,其特征在于在真空微电子压力传感器的阳极版的背面制备薄膜温度传感器。
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