[发明专利]场致发射型电子源及其制造方法无效
| 申请号： | 00107058.4 | 申请日： | 2000-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1148774C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 渡部祥文;近藤行廣;相澤浩一;菰田卓哉;本多由明;幡井崇;櫟原勉;越田信義 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源(10)具有导电性基板(1)、在导电性基板(1)的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层(6)、以及在半导体层上形成的导电性薄膜(7)。通过加上导电性薄膜(7)相对于导电性基板(1)为正的电压，注入导电性基板(1)的电子通过半导体层从导电性薄膜(7)发射。半导体层包含柱状结构部分(21)和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分(25)混合存在的多孔半导体层(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射型电子源，具有导电性基板、在导电性基板的一个表面上形成的一部分进行多孔化处理的半导体层、以及在半导体层上形成的导电性薄膜，通过在导电性薄膜与导电性基板之间加上导电性薄膜相对于导电性基板为正的电压，注入导电性基板的电子就通过半导体层从导电性薄膜发射，其特征在于，半导体层包含各自的上述表面用绝缘膜覆盖的柱状结构部分和由微结晶或微细孔的大小为数纳米的半导体微晶构成的多孔结构部分混合存在的多孔半导体层，而且沿半导体厚度方向来看的多孔结构部分尺寸设定在2μm以下。
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