[发明专利]自旋阀传感器、读出磁头、磁头组件及其制造方法无效
| 申请号： | 00107003.7 | 申请日： | 2000-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1133978C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮纳尔巴西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种自旋阀传感器、读出磁头、磁头组件及其制造方法。在该自旋阀传感器中，包括钴铁(CoFe)第一层和镍铁(NiFe)第二层的双层中间层，位于自旋阀传感器的氧化镍钉扎层与钴铁(CoFe)被钉扎的层结构之间。被钉扎的层结构可以是反平行(AP)被钉扎的层结构或钴铁(CoFe)的单层钉扎的层。双层中间层降低钴铁(CoFe)被钉扎的层结构的矫顽力，从而被钉扎的层结构的磁矩在磁矩被旋转到钉扎的方向之外的其它方向时，可通过与钉扎层的交换耦合而被返回到它原来的位置。这种自旋阀传感器提高了磁电阻系数(dr/R)和热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 传感器 读出 磁头 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自旋阀传感器，包括：一个反铁磁的钉扎层；一个钴铁的被钉扎的层结构；一个具有铁磁的第一和第二层的双层中间层结构，第一层是钴铁，第二层是镍铁；该双层中间层结构位于所述钉扎层和所述被钉扎的层结构之间，且其第一层与钉扎层相接，第二层与被钉扎的层结构相接；该被钉扎的层结构具有由钉扎层钉扎在垂直于空气支撑表面的第一方向上的一个磁矩；一个铁磁的自由层；及位于被钉扎的层结构与自由层之间的一个非磁性导电的间隔层。
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