[发明专利]减轻掩模制造中角部变圆的系统和方法无效
| 申请号： | 00104798.1 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1269529A | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | E·L·卡皮;W·贝森波克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | G03F1/16 | 分类号： | G03F1/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明制造掩模图形的方法包括以下步骤提供用于构图的空白掩模(122);将具有椭圆截面形状的激光/电子束(120)传播到空白掩模上,该椭圆截面形状具有长轴和在长轴相对端部的边缘;定位空白掩模,以将图形写到空白掩模上,其中定位包括使用能量束的椭圆截面形状的边缘写图形的角部(124)。还包括一种系统。 | ||
| 搜索关键词： | 减轻 制造 中角部变圆 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造掩模图形的方法，包括以下步骤：提供用于构图的空白掩模；将具有椭圆截面形状的能量束传播到空白掩模上，该椭圆截面形状具有长轴和在长轴相对端部的边缘；定位空白掩模，以将图形写到空白掩模上，其中定位包括使用椭圆截面形状的能量束的边缘写图形的角部。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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