[发明专利]热堆式红外线传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 00104670.5 | 申请日： | 2000-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1274078A | 公开（公告）日： | 2000-11-22 |
| 发明（设计）人： | 远藤治之;布施武士;松馆直史;田中靖崇;岡田俊一 | 申请（专利权）人： | 石塚电子株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;G01J5/12;H01L31/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高输出电压—约翰逊噪声的S/N比,红外线吸收特性和生产时的成品率的热堆式红外线传感器及其制造方法。在具有空洞的衬底上形成热电元件,借助于多晶硅层和金属薄膜层之间的接触,在上述多晶硅层的芯片中心一侧形成热接点部分,在该芯片周缘一侧形成冷接点部分,并用金属薄膜层把热接点部分和相邻的冷接点部分连接起来,形成串联连接的热电元件列。 | ||
| 搜索关键词： | 热堆式 红外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，其特征是：在覆盖上述空洞部分的第1绝缘膜上边，配置有从芯片中心附近开始放射状地延伸的多个n型多晶硅层，借助于上述n型多晶硅层和金属薄膜层的接触，在芯片中心一侧形成有热接点部分，在其周围一侧形成有冷接点部分，上述金属薄膜层交互地连接相邻的上述n型多晶硅层之间的热接点部分和冷接点部分，在上述第1绝缘膜上边至少形成有一个串联连接的热电元件列。
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