[发明专利]形成CMOS器件的双金属栅结构的方法无效
| 申请号： | 00103629.7 | 申请日： | 2000-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1266277A | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | G·D·维尔克;S·R·萨默费尔特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体衬底上形成分别具有第一和第二栅极的第一和第二晶体管的方法,包括形成绝缘地置于半导体衬底上的有一功函数的导电材料;转换导电材料的一部分从而改变其功函数,导电材料和被转换的导电材料分别形成第一和第二栅极。第一和第二晶体管分别为NMOS和PMOS器件,第一和第二晶体管形成CMOS器件。导电材料包括Ta、Mo、Ti及其任意组合。转换步骤包括使导电材料的这部分经受包括含氮气体的等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 cmos 器件 双金属 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底上形成具有第一栅极的第一晶体管和具有第二栅极的第二晶体管的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：形成绝缘地置于所述半导体衬底的第一部分上的第一导电材料，所述第一导电材料具有第一功函数；形成绝缘地置于所述半导体衬底的第二部分上的第二导电材料，所述第二导电材料包括所述第一导电材料但具有不同于所述第一功函数的第二功函数；其中所述第一导电材料用于形成所述第一栅极，而所述第二导电材料用于形成所述第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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