[发明专利]超导体场效应晶体管制造方法无效
| 申请号： | 00103607.6 | 申请日： | 1991-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1138301C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 贝德诺茨·J·乔治;曼哈特·J·迪特尔;米勒·C·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L39/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造带有电场控制的电流沟道以及栅极、源极和漏极的场效应晶体管的方法，包括以下步骤：设置一种导电的N型(100)取向的掺铌SrTiO3单晶体栅极，铌的掺杂系数为0.001％至10％，所述栅极用作基底；在所述栅极之上淀积一个(100)取向的SrTiO3绝缘层；在SrTiO3绝缘层之上淀积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，其中0≤δ≤0.5；在YBa2Cu3O7-δ层上淀积金属端片，以分别形成源极接点和漏极接点；以及在掺铌的SrTiO3栅极/基底上淀积一个栅极接点。 | ||
| 搜索关键词： | 超导体 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造带有电场控制的电流沟道以及栅极、源极和漏极的场效应晶体管的方法，其特征在于包括以下步骤：设置一种导电的N型(100)取向的掺铌SrTiO3单晶体栅极，铌的掺杂系数为0.001％至10％，所述栅极用作基底；在所述栅极之上淀积一个(100)取向的SrTiO3绝缘层；在SrTiO3绝缘层之上淀积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，其中0≤δ≤0.5；在YBa2Cu3O7-δ层上淀积金属端片，以分别形成源极接点和漏极接点；以及在掺铌的SrTiO3栅极/基底上淀积一个栅极接点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
