[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

在形成具有一种结构的互连层中，其中铝互连层被覆盖有一层间绝缘膜，以用于防止在铝互连层中产生空隙。包括阻挡层4、铝互连金属层5、钛层2和防反射层6的多层结构形成在具有绝缘表面的半导体基片上，然后所述多层结构的层面被构图为互连图案的形状，至少达到钛层2，并且所述构图的结构被加热，使钛层2转化为铝钛合金层，然后，生长层间绝缘膜以覆盖所示构图的互连层，对该层间绝缘膜平面化，以及执行另一个热处理以对该层间绝缘膜脱气。

主权项

1.一种制造半导体器的方法，其中包括如下步骤：在具有绝缘表面的半导体基片上形成一个多层结构，包括由铝或主要成分是铝的合金所构成的互连金属层、置于所述互连金属层之上的钛层；把在所述多层结构中的钛层构图为互连图案的形状；执行热处理，其中所述构图的结构被加热，以便于至少在所述互连金属层与铝层之间的界面处造成在所述互连金属层中的铝与钛之间的合金化反应，并且形成一个铝钛合金层；在热处理之后，对所述多层结构构图，使它成为互连图案的形状；生成一个层间绝缘膜，覆盖所述构图的互连层；对该层间绝缘膜进行平面化；以及执行另一个热处理，以对层间绝缘膜进行脱气。