[发明专利]边缘偏置的磁阻传感器无效
| 申请号： | 00102598.8 | 申请日： | 1994-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1269577A | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | 康霆元;王伯康 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻(MR)传感器包括一个形成MR检测元件的铁磁材料层,其中,MR传感器被偏置只需利用MR磁条的单轴各向异性和检测元件作用区的形状各向异性。MR元件的作用域通常有一个正方形以提供所需的形状各向异性。在MR传感器的制作期间,利用其形状各向异性定义检测元件作用区四边的磁化强度,并把易磁化轴倾斜到某个适当的角度,就能使MR传感器被偏置约45°。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 偏置 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有被中央作用区隔开的端区的磁阻传感器，所述中央作用区响应被截断的磁场以产生一个表示在所述中央作用区中阻抗变化的信号，其特征包括：淀积在衬底上面并至少延伸过所述中央作用区的铁磁材料层，在所述中央作用区中的所述铁磁层具有通常定义一个正方形的平面面积，所述铁磁层的磁化强度在所述中央作用区的边界上有一个预定的面向度，各向异性的易磁化轴以相对于所述铁磁层纵向轴45°的角度被面向；只淀积在所述端区中的所述衬底上并且至少在所述中央作用区的边界上接触到所述铁磁层的一个磁偏置材料层，所述磁偏置层用于在所述中央作用区的边界上、以所述预定义的面向度维持所述铁磁层的磁化强度。
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