[发明专利]边缘偏置的磁阻传感器

权利要求书

1.一种具有被中央作用区隔开的端区的磁阻传感器，所述中央作用区响应被截断的磁场以产生一个表示在所述中央作用区中阻抗变化的信号，其特征包括：

淀积在衬底上面并至少延伸过所述中央作用区的铁磁材料层，在所述中央作用区中的所述铁磁层具有通常定义一个正方形的平面面积，所述铁磁层的磁化强度在所述中央作用区的边界上有一个预定的面向度，各向异性的易磁化轴以相对于所述铁磁层纵向轴45°的角度被面向；

只淀积在所述端区中的所述衬底上并且至少在所述中央作用区的边界上接触到所述铁磁层的一个磁偏置材料层，所述磁偏置层用于在所述中央作用区的边界上、以所述预定义的面向度维持所述铁磁层的磁化强度。

2.权利要求1的磁阻传感器，其特征在于包括淀积在所述磁阻传感器的所述端区上、重迭所述磁偏置层的电导线，所述导线延伸到所述中央作用区的对边，所述中央作用区的水平面积由所述导线的边界所决定。

3.权利要求2的磁阻传感器，其特征在于包括：

连接到所述电导线上、用于把检测电流提供给所述磁阻传感器的电流装置；

连接到所述电流装置和所述电导线上、用于接收和处理所述输出信号的电路装置。

4.权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述铁磁平面面积小于所述铁磁层中磁畴Neel壁的厚度。

5.权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述铁磁材料是从铁、镍、钴及铁、镍或钴的合金中选择的。

6.权利要求5的磁阻传感器，其特征在于所述铁磁层是包含镍和铁的一种合金。

7.权利要求2的磁阻传感器，其特征在于所述导线是从金、银、铜、钽及其传导合金中选择的一种电传导材料。

8.权利要求2的磁阻传感器，其特征在于所述的每个导线包括一个钽的衬底、在所述衬底上形成的一个金镍合金的传导层和在所述传导层上形成的一个钽的表层。

9.权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述磁偏置层是反铁磁材料。

10.权利要求9的磁阻传感器，其特征在于所述反铁磁材料是从锰铁和镍锰中选择的。

11.权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述磁偏置层是由硬磁材料构成的。

12.权利要求11的磁阻传感器，其特征在于所述硬磁材料是从钴镍、钴铂、钴—镍—铬和钴—铂—铬中选择的。

13.磁存储系统包括：

一个具有若干用于记录数据的磁道的磁存储介质；

一个磁转换器，在所述磁转换器和所述磁存储介质之间相对运动期间，该磁转换器被保持在相对于所述磁存储介质很近但又被隔开的位置上，所述磁转换器包括一个在衬底上形成的磁阻传感器并具有由中央作用区隔开的无源端区，其特征包括：

至少延伸过所述中央作用区的一个铁磁材料层，所述中央作用区中的所述铁磁层有通常定义了一个正方形的平面面积，所述铁磁平面面积小于所述铁磁层中磁畴Neel壁的厚度，所述铁磁层的磁化强度在所述中央作用区的边界上有一个预定义的面向度，以相对于所述铁磁层纵向轴约45°角面向各向异性的易磁化轴；

只淀积在所述端区中的所述衬底上并且至少在所述中央作用区的边界上接触到所述铁磁层的一个磁偏置材料层，所述的磁偏置层用于在所述中央作用区的边缘上把所述铁磁层的磁化强度维持在所述的预定义面向度；

淀积在所述磁阻传感器的所述端区上、复盖所述磁偏置层的电导线，所述导线延伸到所述中央作用区的对边，所述中央作用区的水平面积由所述导线的边界决定；

连接到所述的磁转换器上、用于把所述的磁转换器移到所述磁存储介质上的被选择的磁道上的传动装置；

连接到所述的磁性传感器上，用于检测所述磁阻材料中阻抗变化的装置，阻抗变化是对代表记录在被所述磁阻传感器截断的所述磁存储介质中数据位的磁场的响应。

14.权利要求13的磁存储系统，其特征在于所述铁磁材料是从铁、镍、钴及铁、镍或钴合金中选择的。

15.权利要求14的磁存储系统，其特征在于所述铁磁层是镍和铁的一种合金。