[发明专利]用于垂直晶体管的可控制的槽顶部隔离层的形成无效
| 申请号： | 00101981.3 | 申请日： | 2000-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1165985C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | U·格吕宁;J·伯恩特纳;D·托本;G·李;O·斯平德勒;Z·加布里克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种控制半导体器件的槽内的隔离层厚度的方法，包括下述步骤：设置形成了导电材料(24)的槽(14)；在该导电材料上的槽的侧壁上形成衬垫(36)；在该导电材料和该侧壁上淀积选择性氧化物淀积层(40)，该选择性氧化物淀积层有选择地生长，其在该导电材料(24)上的生长率大于在该侧壁的该衬垫(36)和顶部表面(43)上的生长率；以及在除了与该导电材料(24)接触的部分(42)外除去该选择性氧化物淀积层以便在槽内的该导电材料上形成隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 晶体管 控制 顶部 隔离 形成 | ||
【主权项】：
1.一种控制用于半导体器件的槽内的隔离层厚度的方法，其特征在于，包括下述步骤：设置具有在其中形成了导电材料的槽；在该导电材料上的槽的侧壁上形成衬垫；在该导电材料和该侧壁上淀积选择性氧化物淀积层，该选择性氧化物淀积层有选择地生长，其在该导电材料上的生长率大于在该侧壁的该衬垫上的生长率；以及在除了与该导电材料接触的部分外除去该选择性氧化物淀积层以便在槽内的该导电材料上形成隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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