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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件-CN201010266405.1有效
  • 时龙兴;钱钦松;霍昌隆;孙伟锋;陆生礼 - 东南大学
  • 2010-08-27 - 2011-02-09 - H01L21/8249
  • 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：N型三极管漂移区、P型深阱、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区、N型源区和P型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于N型基区包在N型缓冲区内部，P型漏区上的漏极金属与N型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
  • 一种绝缘体上硅可集成电流组合半导体器件
  •  1 
  • 共 1 条
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