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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多层源极/漏极应力源-CN200880001436.5无效
发明人：张达;V·德安达帕尼;D·V·戈德克;J·C·希尔德莱斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件(10)的方法，其包括形成在该半导体器件的源极区中的凹槽(26)和漏极区中的凹槽(28)。该方法还包括形成源极区的凹槽(26)中的第一半导体材料层(32)以及漏极区的凹槽(28)中的第二半导体材料层(34)，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成第一半导体材料层(32)和第二半导体材料层(38)中的每一个，其中第一元素是硅。该方法还包括形成位于第一半导体材料层(32)上和第二半导体材料层(34)上的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有不同比率的附加半导体材料层(36、38、40、42)。
多层应力

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