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[发明专利]受补偿的位置特定处理设备和方法-CN201880006112.4有效
发明人：马修·C·格温;马丁·D·塔巴;肯尼斯·雷冈;艾伦·J·莱特;迈克尔·格拉夫 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：描述了一种用于利用束处理工件的设备和方法。该设备包括真空室和扫描器，真空室具有用于形成粒子束并且利用粒子束处理工件的束线，扫描器用于使工件平移通过粒子束。该设备进一步包括扫描器控制电路，其被耦合至扫描器，并且被配置成控制扫描器的扫描特性；以及束控制电路，其被耦合至至少一个束线部件，并且被配置成根据在处理期间在至少两个不同状态之间切换的占空比来控制粒子束的束通量。
补偿位置特定处理设备方法

[发明专利]用于基片的射束处理的过程气体增强-CN201580054079.9有效
发明人：迈克尔·格拉夫;诺尔·拉塞尔;马修·C·格温;艾伦·J·莱特 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：描述了一种射束处理系统和操作方法。特别地，射束处理系统包括：具有喷嘴组件的射束源，该喷嘴组件被配置为通过喷嘴组件将主气体引入至真空容器，以便产生气体束，例如气体团簇束；以及可选地，电离器，其定位在喷嘴组件下游，并且被配置为电离气体束以产生经电离的气体束。射束处理系统还包括：处理室，基片定位在该处理室内以由气体束进行处理；以及辅助气体源，其中，辅助气体源包括：辅助气体供应系统，其输送辅助气体；以及辅助气体控制器，其可操作地控制注入到喷嘴组件下游的射束处理系统中的辅助气体的流动。
用于处理过程气体增强

[发明专利]气体团簇离子束喷嘴组件-CN201580049124.1有效
发明人：马修·C·格温;阿夫鲁姆·弗赖特西斯;罗伯特·K·贝克尔 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的喷嘴组件。具体地，喷嘴组件包括两个或更多个圆锥形喷嘴，这些圆锥形喷嘴对准成使得它们都用于产生同一GCIB。第一圆锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可附加至第一圆锥形喷嘴的较大圆锥形腔。可以在两个圆锥形喷嘴之间设置过渡区域，该过渡区域可以是大致圆柱形的并且略大于第一圆锥形喷嘴的最大直径。
气体离子束喷嘴组件

[发明专利]分子束增强GCIB处理-CN201480073422.X有效
发明人：马修·C·格温 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。
分子增强 gcib 处理

[发明专利]具有快速气体切换装置的气体离化团束系统-CN201180022613.X有效
发明人：迈克尔·格拉夫;罗伯特·K·贝克尔;克里斯多弗·T·雷迪;诺尔·拉塞尔 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。
具有快速气体切换装置离化团束系统

[发明专利]铜互连布线和形成铜互连布线的方法-CN200580046189.7无效
发明人：罗伯特·M·杰弗肯;约翰·J·豪特拉;史蒂文·R·谢尔曼;亚瑟·J·勒恩 -专利权人： TEL艾派恩有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明公开了用在互连结构中的铜互连布线层(602)的表面上的一层或多层帽封层(614)，以及通过应用气体团簇离子束处理而形成用于集成电路的改善的集成互连结构的方法。本发明具有降低铜扩散并且提高电迁移寿命的结果，并且避免了选择性金属帽封技术的使用和其附带的产量问题。
互连布线形成方法