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- [发明专利]测量系统-CN202310702983.2在审
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T·考夫曼;J·弗兰克
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2017-07-31
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2023-09-08
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G01R33/07
- 测量系统，具有用于产生磁场的磁体装置和用于检测磁场至少在第一空间方向上的磁通密度的至少一个磁场传感器，其中，所述磁体装置具有朝向所述至少一个磁场传感器的上侧，所述至少一个磁场传感器相对于所述磁体装置的所述上侧间隔开，所述磁体装置具有带有两个磁极的主磁体和带有两个磁极的至少一个副磁体，该主磁体具有主磁化方向，用于产生主磁场，该副磁体具有副磁化方向，用于产生副磁场，所述主磁体具有大于所述至少一个副磁体的尺寸，所述磁场通过所述主磁场和所述副磁场的叠加形成，所述副磁场在第一空间方向上至少部分地补偿所述主磁场，所述磁体装置的所述上侧构造为具有第一表面区域和第二表面区域的平坦的面，其中，所述第一表面区域由所述主磁体的至少一个极形成，并且所述第二表面区域由所述至少一个副磁体的至少一个极形成，并且所述磁场传感器在垂直于所述磁体装置的所述上侧走向的投影中遮盖所述第二表面区域，并且所述上侧的所述第二表面区域在所有四侧上完全由所述第一表面区域围绕。
- 测量系统
- [发明专利]半导体传感器结构-CN201911155643.2有效
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M·科尼尔斯;M-C·韦基
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2019-11-22
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2023-09-05
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H10N52/80
- 包括第一半导体晶片和第二半导体晶片的半导体传感器结构及其制造方法，第二半导体晶片具有衬底层，衬底层具有带有至少一个金属连接接触部的集成电路，第一半导体晶片具有第二导电类型的半导体层，其具有带有传感器区域的三维霍尔传感器结构，在前侧上具有彼此间隔开的至少三个第一金属连接接触部，在背侧上具有彼此间隔开的至少三个第二金属连接接触部，连接接触部分别构造在第二导电类型的高掺杂的半导体接触区域上并且在垂直于前侧的投影中错位地布置。第一半导体晶片布置在第二半导体晶片之上，至少一个第二连接接触部至少部分地布置在集成电路的金属连接接触部之上并且材料锁合地连接，从而在霍尔传感器结构与集成电路之间形成电的有效连接。
- 半导体传感器结构
- [发明专利]半导体传感器结构-CN202010036622.5有效
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M·科尼尔斯;M-C·韦基
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2020-01-14
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2023-09-05
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H10N52/80
- 一种具有第一半导体晶片、第二半导体晶片和绝缘层的半导体传感器结构，其具有上侧和下侧，其中，第二半导体晶片具有衬底层，衬底层具有构造在正侧上的集成电路，集成电路具有构造在正侧上的至少一个金属连接接通部，第二半导体晶片的正侧和第一半导体晶片的正侧分别构造在绝缘层上，第一半导体晶片具有半导体层，半导体层具有三维霍尔传感器结构，三维霍尔传感器结构具有传感器区域，传感器区域由从所述半导体层的背侧延伸至正侧的单片半导体本体构成，在半导体本体的区域中，在正侧上构造彼此间隔开的至少三个第一金属连接接通部，并且在背侧上构造彼此间隔开的至少三个第二金属连接接通部。
- 半导体传感器结构
- [发明专利]构件半导体结构-CN202010036623.X有效
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M·科尼尔斯;M-C·韦基
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2020-01-14
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2023-09-05
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H10N52/80
- 一种具有半导体层的构件半导体结构，半导体层具有正侧和背侧，在正侧上构造至少一个集成电路，在背侧上构造彼此材料锁合地连接的第一氧化物层和第二氧化物层，设置具有表面和背面的单片构造的半导体本体，半导体本体布置构造在表面和背面之间的传感器区域，传感器区域具有三维等向性霍尔传感器结构，霍尔传感器结构从掩埋的下方面延伸至上侧，在表面上构造至少三个第一高掺杂半导体接通区域，在下方面上分别构造至少三个第二高掺杂半导体接通区域，每个第一半导体接通区域借助对应的第一连接接通部连接，每个第二半导体接通区域借助对应的第二连接接通部连接，在垂直于表面的投影中第一半导体接通区域相对与第二半导体接通区域错位地布置。
- 构件半导体结构
- [发明专利]间距测量设备-CN201680085061.X有效
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J·弗兰克
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2016-04-29
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2021-10-08
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G01D5/14
- 本发明涉及一种间距测量设备，其具有两个磁场传感器、永磁体和半导体主体，其中，所述半导体主体具有整体地集成的分析处理电路并且能够借助所述磁场传感器求取差分信号并且提供作为所述求取的结果的输出信号，其中，所述基于无磁通区域的消除的输出信号的值与所述铁磁性探测器至所述两个磁场传感器的间距相关，并且在第一实施方式中，所述半导体主体布置在在X方向上磁化的磁体的U形地构造的极腿之间，其中，所述第一磁场传感器布置在处于所述第一极的两个彼此相对置的腿之间的区域中并且在极腿之间构造底面，并且所述半导体主体在Z方向上布置在所述底部区域上方，或在第二实施方式中，为了在对两个半导体传感器不同强度地作用的第二探测器的情况下测量所述磁通变化的大小，所述永磁体在Z方向上磁化并且所述两个极面中的一个构造在X‑Y平面并且所述磁场传感器沿所述极面布置。
- 间距测量设备
- [发明专利]封装的集成电路构件-CN201810735557.8有效
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J·弗兰克;T·勒内克
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2018-07-06
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2021-07-06
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H05K1/18
- 一种具有半导体本体和印制电路板的封装的集成电路构件，半导体本体包括单片集成电路和金属接通面，印制电路板具有第一、第二区域、上侧、下侧、连接接通部和印制导线，连接接通部作为接通孔布置在第一区域内，半导体本体作为管芯布置在第二区域内，半导体本体完全被灌注料覆盖，印制电路板在第二区域内被灌注料覆盖，印制电路板下侧构成集成电路壳体的一部分，接通孔具有与金属内壁相同的内直径并成形用于容纳能导电的压入销，以便构成压配合连接并由此构成与至少一个其他电构件的电连接，印制电路板在第一区域内没有灌注料，压入销构成引线框架的一部分并与引线框架一体连接，印制电路板仅借助压入销构成力锁和连接以及与引线框架的导电连接。
- 封装集成电路构件
- [发明专利]电构件-CN202010999064.2在审
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J·弗兰克;K·黑贝勒;O·布赖特维泽尔;T·考夫曼
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2015-07-29
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2020-12-29
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H05K1/18
- 本发明涉及一种电构件，具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，第一壳体部分(100)具有第一凹槽形成型部(110)，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上。所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，其中，第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料填充。
- 构件
- [发明专利]磁场补偿装置-CN201810421585.2有效
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J·弗兰克
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TDK-迈克纳斯有限责任公司
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2018-05-04
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2020-12-08
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G01R33/04
- 一种磁场补偿装置具有：棒状的第一通量传导件，其具有构造在X方向上的纵轴线并且具有第一头侧端部；和棒状的第二通量传导件，其具有构造在X方向上的纵轴线，第一通量传导件和第二通量传导件相对彼此在Y方向上间隔开，它们的纵轴线基本上彼此平行地布置；磁场传感器；环绕通量传导件地构造的补偿线圈；控制单元，其与磁场传感器和补偿线圈处于电式的作用连接中，控制单元设置用于根据磁场传感器的测量信号如此调节通过补偿线圈的补偿电流，使得对于构造在X方向上的外磁场在磁场传感器的位置上基本上补偿磁场，在第二通量传导件中构造有在X轴线方向上的磁场，磁场传感器布置在第一通量传导件的头侧端部上。
- 磁场补偿装置
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