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[发明专利]过压放电器-CN201580017667.5有效
发明人： M.迪泰特;T.迈尔 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01T1/02 文献下载
摘要：说明且示出一种用于使用在低压电网的电流供给部中、尤其地用于使用在零线N与地线PE之间的过压放电器(1)，其带有圆柱形的壳体(2)、两个彼此轴向相对的电极(3,4)和构造在壳体(2)的内部中的电弧燃烧室(5)，其中，电弧燃烧室(5)轴向地被两个电极(3,4)限制并且在两个电极(3,4)之间构造有火花间隙，从而在点燃火花间隙的情况中在两个电极(3,4)之间产生电弧。在根据本发明的过压放电器中，可由此取消离子化的气体的吹出，即在壳体(2)之内构造两个腔(6,7)，两个腔(6,7)分别经由两个通道(8,9)与电弧燃烧室(5)相连接，从而在点燃火花间隙之后热的离子化的气体可从电弧燃烧室(5)中流入腔(6,7)中，其中，两个腔(6,7)的总体积大于电弧燃烧室(5)的体积，并且其中，两个腔(6,7)在壳体(2)的纵向上布置在电弧燃烧室(5)的彼此相对的侧上并且分别相对于电弧燃烧室(5)具有轴向的和径向的距离。
电器

[发明专利]浪涌电压保护器-CN201510692163.5有效
发明人： M.迪泰特;T.迈尔 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01T2/02 文献下载
摘要：描述和示出了一种用在低压电网的供电装置中的浪涌电压保护器，具有金属壳体(2)、两个在轴向上相互对置的电极(3,4)、在该壳体(2)内部形成在这两个电极(3,4)之间的电弧引燃室(5)和具有至少一个电阻引燃件(6)和一个电压开关元件(7)的引燃辅助机构，其中该引燃件(6)与该电弧引燃室(5)相连并在一侧与该壳体(2)并在另一侧与第二电极(4)导电连接，其中该电压开关元件(7)在一侧与第一电极(3)并在另一侧与该壳体(2)导电连接，并且在这两个电极(3,4)之间形成火花间隙，从而在这两个电极(3,4)之间的火花间隙引燃时在该电弧引燃室(5)内出现电弧。在本发明的浪涌电压保护器中，如此进一步降低当浪涌电压保护器受损或过载时危害到浪涌电压保护器周围的危险，即该电压开关元件(7)在该金属壳体(2)内设置在该第一电极(3)和该壳体(2)之间，并且该电压开关元件(7)距该电弧引燃室(5)有距离。
浪涌电压保护器电弧电压开关元件引燃室电极壳体引燃导电连接第一电极火花间隙金属壳体低压电网第二电极辅助机构供电装置电阻对置过载受损

[发明专利]由于重晶格具有提高的ESD电阻的基于GAN的光电子器件及其制造方法-CN201480023548.6有效
发明人： A.勒夫勒;T.迈尔;A.鲍尔;C.莱雷尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：光电子器件（10）包括半导体层结构（100），所述半导体层结构具有作为有源层（140）的量子薄膜结构和p型掺杂层（160），所述p型掺杂层被布置在量子薄膜结构（140）之上。所述p型掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二子层（162）。所述第二子层（162）具有高于第一子层（161）的掺杂度（323）。
由于晶格具有提高 esd 电阻基于 gan 光电子器件及其制造方法

[发明专利]用于WLCSP的垂直电感器-CN201580081209.8在审
发明人： A.沃尔特;T.迈尔;G.克诺布林格 -专利权人：英特尔IP公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明的实施例包含微电子装置和形成微电子装置的方法。在实施例中，微电子装置包含半导体管芯和电耦合到半导体管芯的电感器。电感器可包含一个或多个导电线圈，其远离半导体管芯的表面延伸。在实施例中，每个导电线圈可包含多个迹线。例如，第一迹线和第三迹线可在第一介电层上方形成，以及第二迹线可在第二介电层上方和芯上方形成。穿透第二介电层的第一通孔可将第一迹线耦合到第二迹线，以及穿透第二介电层的第二通孔可将第二迹线耦合到第三迹线。
用于 wlcsp 垂直电感器

[发明专利]多层封装-CN201580081135.8在审
发明人： V.K.奈尔;C.胡;T.迈尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本文的实施例涉及系统级封装（SiP）。SiP可具有带有相应的第一活动侧和与第一活动侧相对的第一非活动侧的一个或多个第一功能组件的第一层。SiP还可以包括具有相应的第二活动侧和与第二活动侧相对的第二非活动侧的一个或多个第二功能组件的第二层。在实施例中，第一活动侧中的一个或多个面向第二活动侧中的一个或多个并且通过穿模通孔或穿硅通孔与第二活动侧中的一个或多个电气耦合。
多层封装

[发明专利]可插接的装置组合-CN201510106037.7有效
发明人： T.迈尔;S.普费特纳 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01R13/633 文献下载
摘要：本发明涉及可插接的装置组合，其带有装置基座和插接模块，装置基座具有带有用于容纳插接模块的凹部的基本壳体、用于需保护的电网的导体的联接端子和插接触头，插接模块具有插头壳体、布置在插头壳体中的保护元件和与插接触头对应的联接插接触头。在装置组合中由此执行插接模块的去锁和替换在装置基座的至少一个限制凹部的壁处构造有有弹性的卡锁臂，在插头壳体的至少一个端侧中构造有卡锁凹部，并且在端侧处布置有去锁元件，在插接模块完全插入到凹部中的状态中，卡锁臂在去锁元件的下部的第一位置中并未偏移，从而卡锁臂的自由端接合到卡锁凹部中，而卡锁臂在去锁元件的上部的第二位置中如此偏移卡锁臂的自由端未伸入到卡锁凹部中。
插接装置组合

[发明专利]应用于过电压保护部件的点火部件-CN201580009280.5有效
发明人： T.迈尔;M.迪泰特 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-02-18 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01T1/16 文献下载
摘要：介绍和描述一种应用于过电压保护部件的点火部件，该过电压保护部件具有至少两个电极（2、3）和在两个电极（2、3）之间形成的火花隙（4），其中，点火部件（1）具有至少一个绝缘层（5）。根据本发明，该点火部件（1）通过如下方式也特别适用于多次响应和导出大的浪涌电流绝缘层（5）具有至少两个导电的、电流承载能力较小的区域（6、6'、6、6'），所述区域分别在绝缘层（5）的上侧（7）和下侧（8）之间延伸，使得在绝缘层（5）的上侧（7）和下侧（8）之间存在至少两个导电的连接部。
应用于过电压保护部件点火

[发明专利]可插接的装置组合-CN201510111093.X有效
发明人： T.迈尔;S.普费特纳 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01R13/639 文献下载
摘要：本发明涉及可插接的装置组合，带有装置基座和可插装到装置基座上的插接模块，其中，装置基座具有带有用于容纳插接模块的凹部的基本壳体、用于需保护的电网的导体的联接端子和与联接端子相连接的插接触头，插接模块具有插头壳体、布置在插头壳体中的保护元件和与插接触头对应的联接插接触头。在根据本发明的装置组合中可由此执行插接模块的锁定和插接模块的替换，即，在装置基座与插接模块之间起作用的卡锁连接部具有带有卡锁钩的卡锁臂和槽，其布置在与卡锁臂相对而置的壁中，卡锁臂的卡锁钩在插接模块插装到装置基座上时在槽中来引导，槽具有第一区段、第二区段、第三区段，槽的深度在第三区段的末端处如此小，使得卡锁钩不再在槽中来引导。
插接装置组合

[发明专利]倒装芯片晶片级封装及其方法-CN201310749734.5有效
发明人： T.迈尔 -专利权人：英特尔德国有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及倒装芯片晶片级封装及其方法，其中一种电子封装包括倒装芯片部件，具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯；第二管芯，堆叠在第一管芯上；密封化合物，形成在第一管芯和第二管芯周围；一组贯穿密封剂通孔TEV，提供贯穿密封化合物至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接；和再分布层，在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组TEV。
倒装芯片晶片封装及其方法

[发明专利]半导体器件以及其制造方法-CN201410470355.7有效
发明人： T.迈尔;W.施韦特利克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及其制造方法。一种半导体器件包含半导体基体，该半导体基体具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。该半导体器件进一步包含第一和第二槽，该第一和第二槽从第一表面延伸到该半导体基体中。该半导体器件进一步包含至少一个横向IGFET，该横向IGFET包含在第一表面处的第一负载端子、在第一表面处的第二负载端子和第一槽内的栅电极。该半导体器件进一步包含至少一个垂直IGFET，该垂直IGFET包括在第一表面处的第一负载端子、在第二表面处的第二负载端子和第二槽内的栅电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电路、方法和移动通信设备-CN201310471617.7有效
发明人： T.迈尔;C.维帕勒克;S.特蒂內克 -专利权人：英特尔德国有限责任公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明涉及电路、方法和移动通信设备。一种电路包括振荡器、可变调相器和反馈环路。振荡器被配置成提供RF信号，其中振荡器被配置成在操作的自由运行模式下进行操作。可变调相器被配置成提供已调相的信号，所述已调相的信号的相位相对于振荡器的输出信号的相位而偏移，或者相对于从振荡器的输出信号导出的信号的相位而偏移。反馈环路被配置成提供控制值，用于基于已调相的信号和参考振荡器信号来控制可变调相器，以抵消已调相的信号的相位误差。
电路方法移动通信设备

[发明专利]具有沟槽场板的高压双极型晶体管-CN201410345970.5有效
发明人： C.卡道;N.克里施克;T.迈尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有沟槽场板的高压双极型晶体管。一种双极型晶体管结构包括半导体衬底上的外延层；在外延层中形成的双极型晶体管器件；以及在外延层中形成的沟槽结构，与双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻。该沟槽结构包括通过绝缘材料而与外延层隔开的场板。该双极型晶体管结构进一步包括基极触点，连接到双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及在发射极触点和场板之间的电气连接。
具有沟槽高压双极型晶体管

[发明专利]半导体器件-CN201410094909.8有效
发明人： M.克努德森;T.迈尔;S.马鲁塔姆图;A.沃尔特;G.赛德曼;P.赫雷罗;P.贾埃维南 -专利权人：英特尔IP公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构。
半导体器件

[发明专利]调制系统、调相系统和用于减轻调制误差的方法-CN201310061532.1有效
发明人： T.迈尔;T.鲍尔恩费恩德;C.维奇帕列 -专利权人：英特尔德国有限责任公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H04L27/20 文献下载
摘要：本发明的一个实施例涉及具有锁相环和自适应控制的调制系统。锁相环被配置成接收输入信号和自适应信号。输入信号是未调制信号，诸如相位分量或相位信号。锁相环还被配置成提供误差信号和输出信号。误差信号指示一个或多个调制误差。输出信号是输入信号的调制版本，其已经通过使用自适应信号进行校正以减轻该一个或多个调制误差。
调制系统调相用于减轻误差方法

[发明专利]浪涌电压保护器-CN201510692212.5在审
发明人： T.迈尔;J-E.施姆茨 -专利权人：菲尼克斯电气公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01T2/02 文献下载
摘要：描述和示出了一种用在低压电网的供电装置中的浪涌电压保护器，它具有壳体(2)、两个轴向相互对置的且其电连接区(3a,4a)从该壳体(2)伸出的主电极(3,4)、在该壳体(2)内形成在两个主电极(3,4)之间的电弧引燃室(5)和具有至少一个引燃电极(6)的引燃辅助机构，其中在两个主电极(3,4)之间形成火花间隙，从而在两个主电极(3,4)之间的火花间隙引燃时在该电弧引燃室(5)内形成电弧。在本发明的浪涌电压保护器中，可以如此通过简单方式实现引燃电极的电连接，一个主电极(4)具有孔，该引燃电极(6)的电连接区(6a)经过该孔从该壳体(2)向外延伸，或者该引燃电极(6)具有孔，主电极(4)的电连接区(4a)经过该孔从该壳体(2)向外延伸。
浪涌电压保护