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[发明专利]光电子组件-CN202011117564.5在审
发明人： S.格哈德;A.莱尔;C.菲尔海利希;A.勒夫勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：包括层结构的光电子组件，层结构包括有源区，有源区布置在平面中，层结构包括顶侧和四个侧面，第一侧面和第三侧面彼此相对，第二侧面和第四侧面彼此相对，脊结构布置在层结构的顶侧上并且在第一侧面和第三侧面之间延伸，第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到层结构的顶侧中，第一凹陷在光电子组件的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，在第一凹陷的区域中第二侧面包括侧向凹陷的壁面，第二凹陷侧向地被引入到第一凹陷中并且侧向地被引入到第二侧面的凹陷的壁面中，第二凹陷被引入到层结构的顶侧中，第二凹陷沿着第二侧面延伸，第二凹陷与第一侧面存在距离并且与第三侧面存在距离。
光电子组件

[发明专利]光电子组件-CN201680057942.0有效
发明人： S.格哈德;A.莱尔;C.菲尔海利希;A.勒夫勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括层结构的光电子组件，该层结构具有用于产生电磁辐射的有源区，其中该有源区被布置在平面中，其中该层结构具有顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在该层结构的顶侧上，其中该脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中该第一侧面表示用于电磁辐射的照射面，其中第一凹陷在该脊结构旁边侧向地被引入到该层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到该第一凹陷中，并且其中该第二凹陷一直延伸到该第二侧面。
光电子组件

[发明专利]半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法和晶圆-CN201680077819.5在审
发明人： S.格哈德;C.韦尔海利希;A.勒夫勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，其包括以下各项：‑半导体层序列，其具有限定谐振器的两个相对刻面，以及在两个刻面之间形成的有效区；‑脊形波导，其由半导体层序列被构造为半导体层序列的顶面的凸起，所述凸起位于有效区上方，并且脊形波导的纵轴沿着有效区定向；‑接触金属化物，其被施加在背对着有效区的脊形波导的顶面上；以及‑与接触金属化物直接接触的电流流动层，其中‑该半导体层序列的顶面包括区段，该区段关于脊形波导的纵轴在区段宽度上邻近该两个刻面中的一个；该区段包括脊形波导的顶面的下区段；并且该下区段延伸，以使得关于脊形波导的纵轴在脊形波导的宽度上邻接该两个刻面中的所述一个，以及‑该区段没有电流流动层。本发明进一步涉及一种制造半导体激光器方法和晶圆。
脊形波导半导体层序列半导体激光器有效区刻面接触金属化物电流流动晶圆凸起区段延伸谐振器邻接背对顶面制造邻近施加

[发明专利]由于重晶格具有提高的ESD电阻的基于GAN的光电子器件及其制造方法-CN201480023548.6有效
发明人： A.勒夫勒;T.迈尔;A.鲍尔;C.莱雷尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：光电子器件（10）包括半导体层结构（100），所述半导体层结构具有作为有源层（140）的量子薄膜结构和p型掺杂层（160），所述p型掺杂层被布置在量子薄膜结构（140）之上。所述p型掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二子层（162）。所述第二子层（162）具有高于第一子层（161）的掺杂度（323）。
由于晶格具有提高 esd 电阻基于 gan 光电子器件及其制造方法

[发明专利]装置-CN201680035490.6在审
发明人： A.勒夫勒;T.哈格;C.瓦尔特;A.莱尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置，具有至少一个光电半导体元件和散热器，其中所述光电半导体元件被布置在所述散热器上，其中所述散热器被配置为消散来自所述光电半导体元件的热量。所述散热器包括一种材料，其中所述散热器的材料是导电和导热的。所述散热器的材料包括铝和硅。
装置

[发明专利]用于控制在内燃机的反应器中的HCCI燃烧的方法-CN201080060826.7有效
发明人： A.勒夫勒;W.菲舍尔;R.卡雷尔迈耶;G.格拉夫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： F02D41/14 文献下载
摘要：提供一种用于控制在内燃机的反应器中的燃料的HCCI燃烧的方法，其中应用了多变量调节，其中，至少基于在先的控制循环k‑1的控制偏差△x_k‑1和调节参量变化△u_k‑1来确定用于当前的控制循环k的调节参量变化△u_k。
用于控制内燃机反应器中的 hcci 燃烧方法

[发明专利]用于在自行点火运行中来调节汽油机的方法和装置-CN201180054967.2有效
发明人： A.勒夫勒;W.菲舍尔;R.卡雷尔迈耶;G.格拉夫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： F02D35/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于以HCCI运行方法来运行内燃机的方法，该方法具有以下步骤：a）检测（S1）所述内燃机（2）的气缸（3）的燃烧室中的一种参量的测量值的曲线；b）在所述测量值的所测量的曲线的基础上求取（S2）第一燃烧周期中的燃烧过程的一个或者多个燃烧特征（SOC、MFB10%、MFB50%、MFB90%、Q10%、Q50%、Q90%）；c）在所求取的一个或者所求取的多个燃烧特征（SOC、MFB10%、MFB50%、MFB90%、Q10%、Q50%、Q90%）的基础上在所述第一燃烧周期之后并且在接下来的第二燃烧周期之前的所规定的时刻确定（S3）尤其模拟一种状态参量的第一数值；d）确定（S4）所述接下来的第二燃烧周期中的燃烧过程的一个或者多个燃烧特征的所期望的额定值；e）在所述第二燃烧周期的一个或者多个燃烧特征（SOC、MFB10%、MFB50%、MFB90%、Q10%、Q50%、Q90%）的额定值的基础上在所规定的时刻确定（S5）尤其模拟所述状态参量的第二数值；并且f）自所规定的时刻起根据所述状态参量的第一数值和所述状态参量的第二数值来操控（S8）所述内燃机（2）。
用于自行点火运行调节汽油机方法装置

[发明专利]用于内燃机的燃料喷射嘴-CN201080053591.9有效
发明人： G.拜尔;I.戈斯蒂克;R.豪博尔德;M.黑克尔;A.勒夫勒;H.雷塞尔;R.许勒;H.斯洛因斯基;M.韦茨科夫斯基 -专利权人：莱奥林奇有限责任公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： F02M61/18 文献下载
摘要：一种用于内燃机、尤其自燃式内燃机的燃料喷射嘴具有喷嘴针(5)，其带有在喷嘴体(2)的纵向孔(4)中导向的杆部段(7)，其过渡到颈缩的、贯穿压力室(9)的杆部段(14)中，其中，这些杆部段之间的过渡部在纵向孔(4)之内与它的到压力室(9)中的入口相间隔。
用于内燃机燃料喷射

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