专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]采用薄膜晶体管的三维集成电路-CN201680017954.0在审
  • J·J·卢皮诺;T·A·阿甘 - 3B技术公司
  • 2016-03-25 - 2017-12-01 - H01L27/11524
  • 一种集成电路,与标准晶体硅集成电路相比,其通过在2D和3D存储器和逻辑器件中使用薄膜晶体管(TFTs)使得更低的成本成为可能并且改进特征,所述2D和3D存储器和逻辑器件包括NAND闪存存储器和其它非易失性存储器(诸如RRAM、NRAM、MRAM、FeRAM或者PCRAM)。通过利用TFTs,密度被提高,并且芯片面积和成本被降低。几层的体积存储器阵列可以外围电路和布线所需的面积显著降低的方式制造。少于5%的面积要求是可能的。可实施超宽的I/O而不损失芯片面积。垂直型TFTs和逻辑门提供了接近或者超过晶体硅的更好的密度和高的速度。
  • 采用薄膜晶体管三维集成电路

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