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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低功率双纠错－三检错(DEB-TED)解码器-CN201680052581.0有效
发明人： S-O·郑;S·崔;B·K·宋;T·那;J·金;J·P·金;S·金;T·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03M13/15 文献下载
摘要：检错和纠错解码装置根据数据输入是包含单比特差错还是多比特差错来执行单纠错－双检错(SEC‑DED)或双纠错－三检错(DEC‑TED)，以在单比特差错的情况下降低功耗和等待时间，而在多比特差错的情况下提供强大的纠错。
功率纠错检错 deb ted 解码器

[发明专利]用于读取电阻式存储器的恒定感测电流-CN201580051341.4有效
发明人： S-O·郑;S·崔;J·金;T·那;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：系统和方法涉及提供恒定感测电流以用于读取电阻式存储器元件(228)。负载电压生成器(202)基于配置成供应不随工艺‑电压‑温度变化而变化的恒定电流的电流镜(206)来提供负载电压。数据电压基于所生成的负载电压、通过使从恒定电流镜像的感测电流通过电阻式存储器元件来生成。参考电压也基于所生成的负载电压并且通过使从恒定电流镜像的参考电流通过参考单元(230、231)来生成。存储在电阻式存储器元件中的逻辑值基于数据电压与参考电压的比较来确定，其中该确定不受工艺‑电压‑温度变化的影响。
用于读取电阻存储器恒定电流

[发明专利]用于感测电路的系统、装置和方法-CN201680022898.X有效
发明人： S-O·郑;T·那;J·金;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种用于存储器单元的读电路可以包括用于感测电流变化的集成逻辑电路。该集成逻辑感测电路可以是偏移消除单端集成逻辑感测电路。该电路可以包括：偏移消除单端感测电路，其耦合到供电电压；偏移消除单端感测放大器电路，其具有耦合到该偏移消除单端感测电路的感测放大器输入和感测放大器输出；以及单元阵列，其耦合到感测电路输出和地。
用于电路系统装置方法

[发明专利]用以提供包括四个磁性隧道结元件的参考单元的系统和方法-CN201480042759.4有效
发明人： S-O·郑;T·那;J·金;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种装置包括一组数据单元和耦合到该组数据单元的参考单元。该参考单元包括四个磁性隧道结(MTJ)单元，其被配置在用于数据存储的MTJ单元的常规列中。用以配置以及读和写参考单元的电路系统和方法包括描述了在所述的常规列中的四个MTJ单元，其中该四个参考单元被布置成桥形配置，并且其中所述四个MTJ单元中的两个被编程为逻辑1值，并且所述四个MTJ单元中的两个被编程为逻辑0值。
用以提供包括四个磁性隧道元件参考单元系统方法

[发明专利]偏移消除双阶段感测电路、感测方法及感测装置-CN201480047896.7有效
发明人： S-O·郑;T·那;J·金;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种偏移消除双阶段感测方法包括在第一阶段操作中使用由电阻性存储器参考单元的参考值生成的第一负载PMOS栅极电压来感测电阻性存储器数据单元的数据值。该方法还包括在电阻性存储器感测电路的第二阶段操作中使用由电阻性存储器数据单元的数据值生成的第二负载PMOS栅极电压来感测电阻性存储器参考单元的参考值。通过调整参考单元感测的工作点，偏移消除双阶段感测电路相比于常规感测电路显著地增大了感测余量。
偏移消除阶段电路

[发明专利]锁存器偏移抵消感测放大器-CN201580051582.9在审
发明人： S-O·郑;T·那;B·宋;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：各系统和方法涉及使用在多个阶段中被配置的电路对磁阻式随机存取存储器(MRAM)位单元的操作。在感测电路阶段中，该电路被配置成确定跨位单元的数据电压与参考电压之间的第一差分电压。在预放大阶段中，该电路被配置成预放大第一差分电压以生成经预放大的差分电压，该经预放大的差分电压不具有由于工艺变动可能产生的偏移电压。在感测放大器阶段中，该电路被配置成在锁存器中放大该经预放大的差分电压。该经预放大的差分电压的生成抵消了可能在锁存器中产生的偏移电压。在写阶段中，该电路被进一步配置成将写数据值写入MRAM位单元。
锁存器偏移抵消放大器

[发明专利]使用参考单元和共同感测路径来读取存储器单元-CN201480013531.2有效
发明人： S-O·郑;T·那;J·金;S·H·康;J·P·金 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种方法包括感测数据单元的状态以生成数据电压。数据单元的状态对应于数据单元的基于可编程电阻的存储器元件的状态。该方法还包括感测参考单元的状态以生成参考电压。数据单元的状态以及参考单元的状态经由共同感测路径来感测。该方法还包括基于数据电压和参考电压来确定数据单元的逻辑值。
使用参考单元同感路径读取存储器

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