“ST微电子(鲁塞)有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用串行协议的存储器及对应的寻址方法-CN201410456572.0有效
发明人：弗朗索瓦·塔耶特 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种使用串行协议的存储器及对应的寻址方法。该存储器包括：物理存储板(PMP)，包括沿第一方向延伸的m条第一物理线(RGP1i)和沿第二方向延伸的n条第二物理线(RGP2j)；接收装置，用于接收指示矩阵逻辑存储板(PML)的第一逻辑线(RG1i)和第二逻辑线(RG2j)的逻辑地址(ADR)，具有沿第一方向延伸的2^p条第一逻辑线和沿第二方向延伸的2^q条第二逻辑线，其中m和n均不同于2的幂，m是2^k的倍数，k小于或等于p，并且m与n的乘积等于2^p+q之上的最近整数，并且该存储器包括：用于对物理存储板(PMP)寻址的装置，被配置为基于所接收的逻辑地址的内容和该逻辑地址的一部分内容由m/2^k除的欧几里得除法的余数来对第一物理线和仅第二物理线的一部分寻址。
使用串行协议存储器对应寻址方法

[发明专利]利用近距离传感器检测目标的方法-CN201110222991.4有效
发明人： M·泰西耶;C·特罗伊塞 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G01D3/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于通过由近距离传感器(10)提供的检测信号(Sd)来检测目标的方法。该方法包括以下步骤：通过对检测信号(Sd)的值进行滤波产生参考信号(Sr)，定义与第一检测阈值(Th1)，以及当检测信号的值变为大于第一检测阈值(Th1)时，从目标非检测状态(NDET)变为目标检测状态(DET)。当检测信号的值变为大于第一检测阈值(Th1)时，重新调整参考信号(Sr)的值，从而检测信号(Sd)的值再次变为小于或分别大于第一检测阈值(Th1)。
利用近距离传感器检测目标方法

[发明专利]电可编程可擦除非易失存储点的编程方法及相应存储设备-CN201010599041.9无效
发明人：弗朗索瓦·塔耶特 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电可编程可擦除非易失存储点的编程方法及相应存储设备。电可编程可擦除非易失性存储点可以具有连接到位线和地线的至少一个浮置栅晶体管，并且能够利用编程电压被编程。在所述存储点的擦除阶段，第一负电压可以施加于位线和地线。所述第一电压的绝对值可以小于PN二极管的阈值。小于所述编程电压的第二正电压可以施加于浮置栅晶体管的控制栅。所述第二电压与所述第一电压之差可以等于所述编程电压，并且在写入阶段，所述第一负电压可以施加于浮置栅晶体管的控制栅，并且所述第二电压可以施加于位线。
可编程除非存储编程方法相应设备

[发明专利]每比特具有两个单元的电可擦除可编程型存储设备-CN201010532263.9有效
发明人：弗朗索瓦·塔耶特 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及每比特具有两个单元的电可擦除可编程型存储设备。该存储设备包括电可擦除可编程的非易失性存储单元组，该存储单元组包括分别经由两个位线选择晶体管连接至两条位线的两个存储单元。存储单元组的每个存储单元的位线选择晶体管和浮置栅极晶体管之间的公共端子连接至该存储单元组的另一存储单元的浮置栅极晶体管的控制栅极。
比特具有两个单元擦除可编程存储设备

[发明专利]使用串行协议的存储器及对应的寻址方法-CN201010526227.1有效
发明人：弗朗索瓦·塔耶特 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种使用串行协议的存储器及对应的寻址方法。该存储器包括：物理存储板(PMP)，包括沿第一方向延伸的m条第一物理线(RGP1i)和沿第二方向延伸的n条第二物理线(RGP2j)；接收装置，用于接收指示矩阵逻辑存储板(PML)的第一逻辑线(RG1i)和第二逻辑线(RG2j)的逻辑地址(ADR)，具有沿第一方向延伸的2p条第一逻辑线和沿第二方向延伸的2q条第二逻辑线，其中m和n均不同于2的幂，m是2k的倍数，k小于或等于p，并且m与n的乘积等于2p+q之上的最近整数，并且该存储器包括：用于对物理存储板(PMP)寻址的装置，被配置为基于所接收的逻辑地址的内容和该逻辑地址的一部分内容由m/2k除的欧几里得除法的余数来对第一物理线和仅第二物理线的一部分寻址。
使用串行协议存储器对应寻址方法

[发明专利]检测对存储器的故障注入式攻击的方法及相应的存储器-CN201010205921.3有效
发明人：马蒂厄·利萨特;朱利安·梅尔切尔 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供一种检测对存储器的故障注入式攻击的方法及相应存储器。存储器包括存储板，包括用于存储包括数据位和m个奇偶校验位的至少一个位块的至少一组存储单元；故障注入式攻击的检测装置，包括被配置为读取块的每个位的读取装置和被配置为基于读取的每个数据位的值和读取的每个奇偶校验位的值执行奇偶校验的第一校验装置；基准存储单元，被布置在所述组的至少一些存储单元之间以便创建m个存储单元的分离包，每个基准存储单元存储被编程有故障注入式攻击期间很可能会被修改的基准值的基准位，并且每个m个存储单元的包用于存储所述块中与不同奇偶性相关联的m个位，m大于1，检测装置进一步包括第二校验装置，被配置为对每个基准位的值执行校验。
检测存储器故障注入攻击方法相应

[发明专利]集成电路操作期间在其中生成电能的方法、相应的集成电路及制造方法-CN201010196242.4有效
发明人：克利斯汀·里韦罗;帕斯卡·福尔纳拉 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路操作期间在其中生成电能的方法、相应的集成电路及制造方法。所述集成电路包括：包含至少一种热电材料(MTH)的至少一个区域(RG)，被配置为承受由集成电路操作期间所述集成电路的至少一部分(PSTA，PSTB)中的电流流动所产生的至少一个温度梯度；以及导电输出装置，连接至所述区域，用于传送所述热电材料所产生的电能。
集成电路操作期间其中生成电能方法相应制造

[发明专利]在集成电路中生成电能的方法、相应集成电路及制造方法-CN201010198989.3有效
发明人：克利斯汀·施瓦兹;克里斯托弗·蒙塞里;朱利安·德拉洛 -专利权人： ST微电子(鲁塞)有限公司;普罗斯旺埃克斯马赛大学
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明提供一种在集成电路中生成电能的方法、相应集成电路及制造方法。所述集成电路包括：在所述集成电路(CI)内制作、并且包含一个或多个压电元件(EPZ1)的一个或多个三维封闭空间(CG)；以自由方式被容纳于所述一个三维封闭空间或每个封闭空间中的一个或多个物体(BL)；以及导电输出装置(MSE)，连接至所述压电元件，并且被配置为传送由所述物体与相应封闭空间的相对运动期间所述一个物体或所述多个物体中的至少一个物体与所述一个压电元件或所述多个压电元件中的至少一个压电元件的至少一次碰撞产生的电能。
集成电路生成电能方法相应制造

1
共 8 条