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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构-CN200680014965.X有效
发明人： S·M·R·萨亚迪;E·A·哈森;P·西里利亚诺;J·S·金;Z·黄 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在蚀刻层中形成特征的方法，包括：在蚀刻层上形成第一掩模，其中第一掩模限定出多个具有宽度的空间。横向蚀刻第一掩模，其中蚀刻的第一掩模限定出多个具有宽度的空间，其中蚀刻的第一掩模的空间的宽度大于第一掩模的空间的宽度。在蚀刻的第一掩模上形成侧壁层，其中侧壁层限定出多个具有宽度的空间，该空间的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。通过侧壁层在蚀刻层中蚀刻特征，其中该特征的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。除去掩模和侧壁层。
用于蚀刻工艺稳定光致抗蚀剂结构

[发明专利]使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻-CN200680010250.7无效
发明人： J·金;S·李;B·A·沃尔沙姆;R·查拉坦;S·M·R·萨亚迪 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含NF₃的蚀刻气体。由NF₃气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF₃气体形成的等离子体蚀刻介电层。
使用光致抗蚀剂掩模蚀刻

[发明专利]蚀刻掩模特征临界尺寸的减小-CN200580047984.8无效
发明人： Z·黄;S·M·R·萨亚迪;J·马克斯 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在蚀刻层上具有蚀刻掩模的蚀刻叠层中的蚀刻层内形成特征的方法，其中该蚀刻掩模具有带有侧壁的蚀刻掩模特征，其中该蚀刻掩模特征具有第一临界尺寸。执行循环临界尺寸减小以形成具有第二临界尺寸的沉积层特征，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。各个周期包括沉积阶段，用于在蚀刻掩模特征的包括垂直侧壁的暴露表面上沉积一沉积层，以及蚀刻阶段，用于回蚀刻该沉积层，在该垂直侧壁上留下选择性沉积。在该蚀刻层内蚀刻形成特征，其中该蚀刻层特征具有第三临界尺寸，该第三临界尺寸小于该第一临界尺寸。
蚀刻模特临界尺寸减小

[发明专利]提供改良的双层光刻胶图案的方法-CN200480019216.7有效
发明人： H·肖;H·H·朱;K·－L·唐;S·M·R·萨亚迪 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：提供了在一个层中蚀刻出特征的方法，在所述层上形成聚合物材料的底层，在底层上形成上部图像层，将所述上部图像层在被图案化的辐射下曝光，在上部图像层中将图案显影，用还原干法蚀刻将图案从上部图像层移至底层，透过底层蚀刻所述层，其中上部图像层被完全去除，在蚀刻所述层时底层被当作图案掩模使用，以将图案从底层移至所述层。
提供改良双层光刻图案方法

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