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[发明专利]激光功率转换器-CN201380053753.2在审
发明人： S·J·斯威尼;J·慕克吉 -专利权人：空客防务和航天公司;空客DS公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种激光功率转换器LPC器件(1)包括抗反射涂层(10)、窗口层(20)、有源区域(30)、电子阻挡层(40)、分布式布拉格反射器DBR(50)和基板(60)。所述器件还包括阳极(70)、阴极(80)和绝缘层(90)。有源区域(30)由磷砷化铟稼InGaAsP形成，InGaAsP层中的化学元素的比例为InyGa1‑yAsxP1‑x，并被设计为将波长为1.55μm的电磁辐射转换为电能。然而，InGaAsP的确切组成被选择为具有略高于1.55μm的带隙波长，因为在操作中，器件变热并且带隙向较长的波长移位。为了获得合适的带隙，组成可以是InyGa1‑yAsxP1‑x，其中分别为x＝0.948、0.957、0.965、0.968、0.972或0.976，y＝0.557、0.553、0.549、0.547、0.545或0.544。
激光功率转换器

[发明专利]发光半导体装置-CN201080037476.2有效
发明人： S·J·斯威尼 -专利权人：萨里大学
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：发光半导体装置(401)具有由铋(Bi)和一种或多种其它V族元素形成的有源区(405)。在具体实施方式中，III-V材料除包括铋外，还包括砷化镓(GaAs)。在所述III-V材料中包含铋，减小了带隙，同时提高了该材料的自旋轨道分裂能量。当自旋轨道分裂能量超过带隙时，禁止俄歇复合过程，减小了发光半导体装置(401)随环境温度改变的灵敏度。
发光半导体装置

[发明专利]有效利用来自开孔式灯光的灯装置和方法-CN00816653.6无效
发明人： J·T·多兰;M·A·杜比诺夫斯基;A·吉特西维克;K·基普林;D·A·柯克帕特里克;D·W·劳伦斯;I·莱文;D·A·麦克伦南;R·H·里德尔;B·尚克斯;M·史密斯;T·L·萨姆纳;S·J·斯威尼;B·P·特纳;M·G·于里;S·L·伍滕 -专利权人：熔化照明股份有限公司
申请日： 2000-10-11 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： G02B6/04 文献下载
摘要：本发明涉及各种灯系统，它们有效地采用了来自开孔式灯的光。这些灯系统分别构造成完成各类光的回收，包括etendue再循环，偏振再循环和/或色彩再循环。本发明公开了各种新颖的光学元件，包括具有一整体透镜的无电极光源灯泡、一具有整体凸缘的模制石英球形透镜、一具有整体凸缘的模制石英CPC、一截头CPC和一分割的CPC。还公开了各种新颖的光学系统，包括完成角度选择和/或etendue选择的系统。
有效利用来自开孔式灯光装置方法