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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于两端点存储器的选择器装置-CN201510105630.X有效
发明人： S·H·乔 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文涉及用于两端点存储器的选择器装置，公开提供具有非线性电流‑电压(I‑V)响应的固态存储器。本发明以举例的方式提供一种选择器装置。该选择器装置可经由整体制造工艺串联非易失性存储器装置而形成。此外，该选择器装置可以提供实质上非线性I‑V响应以适当减轻该非易失性存储器装置的漏电流。在各种揭露的实施例方式中，该选择器装置及该非易失性存储器装置的串连组合可充当1‑晶体管、多‑电阻电阻式存储器单元数组中的一组存储器单元的一个。
用于端点存储器选择器装置

[实用新型]包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置-CN201620470084.X有效
发明人： H·纳扎里安;S·H·乔;H·Y·吉;T·库马尔;N·小巴斯奎兹;S·P·马克斯韦尔;S·纳拉亚南 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及包括挥发性电阻性切换装置的高密度非挥发性内存装置，具体涉及一种内存装置包含深沟槽晶体管、挥发性选择器装置、以及电容器结构，该深沟槽晶体管至少部分在介电层或基板内形成，该晶体管具有闸极，该闸极的宽度小于约100纳米(nm)，该挥发性选择器装置包含与该闸极电性接触的第一金属接点、以及第二金属接点，而该电容器结构具有与该第二金属接点电性接触的第一终端、以及与讯号输入电性接触的第二终端。
包括挥发性电阻切换装置高密度内存

[发明专利]用于硅基导电膜的低温沉积-CN201510067957.2在审
发明人： S·P·麦克斯维尔;K-H·金;S·H·乔 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文描述用于硅基导电膜的低温沉积，提供用于固态存储器的硅基电性导体的低温沉积。在各种公开实施例中，所述硅基导体可以形成存储器单元的电极、电子装置的导电组件之间的互连、导电穿孔、导线等等。此外，所述硅基电性导体可以形成作为单晶工艺结合互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的制造的一部分。在具体的实施例中，所述硅基电性导体可以是p型硅锗化合物，即其在兼容CMOS装置制造的温度下沉积时被激活。
用于导电低温沉积

[实用新型]一种用于半导体晶片处理系统中喷头的双气体面板-CN200520114897.7无效
发明人： S·P·乌姆托;L·C-L·雷;A·N·源;S·H·乔;H·D·源 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： B05B7/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体晶片处理系统喷头的面板。面板具有多个气体通道，以向处理区域提供多种气体，并且这些气体在到达处理腔内的处理区域前不会混合。喷头包括一个面板和一个气体分配歧管装置。面板限定了多个第一气体孔，用来运输第一气体，把它们从歧管装置通过面板送到处理区域。面板还限定了多个通道，用来把多个第二气体孔连接到一个从歧管装置接收第二气体的圆周形气室。面板和歧管装置均由基本上为固体的镍成分制成。
一种用于半导体晶片处理系统喷头气体面板

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