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[发明专利]具有可独立控制的加热器元件阵列的基板载具-CN201780050548.9有效
发明人： S·E·巴巴扬;P·克里米诺儿;Z·郭 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了具有可独立控制的加热器元件阵列的基板载具。在一个示例中，一种设备包括：基板载具，所述基板载具用于承载基板以供处理；多个电阻式加热元件，所述多个电阻式加热元件位于载具中，用于通过加热载具来加热基板；电源，所述电源用于供应电力至加热元件；功率控制器，所述功率控制器用于提供控制信号，所述控制信号用于控制被施加至所述加热元件中的每一个加热元件的电流量；以及多个功率接口，所述多个功率接口位于载具中功率接口，所述多个功率接口中的每一个功率接口耦接至加热元件以接收来自电源的功率以及来自控制器的控制信号，并响应于控制信号来调制被施加至相应的被耦接的加热元件的功率。
具有独立控制加热器元件阵列基板载具

[发明专利]用于半导体工艺模块的原位设备-CN202310314837.2在审
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;A·施密特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开一种在载体上传送边缘环的方法。
用于半导体工艺模块原位设备

[发明专利]用于在RF环境中的装置的控制方法和系统-CN202010788426.3有效
发明人： P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·A·马洛尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H04L25/49 文献下载
摘要：一种系统包括用于生成命令的处理装置，所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述系统进一步包括耦接至所述处理装置的第一转换器，用于接收所述命令并将所述命令转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述系统进一步包括第二转换器，所述第二转换器配置成用于在破坏性射频(RF)环境中操作，所述第二转换器用于接收所述命令并将所述命令往回转换为在传导性通信链路上可传输的格式，随后将所述命令传送至脉冲宽度调制(PWM)电路。所述PWM电路耦接至所述第二转换器，并且配置成用于在所述破坏性RF环境中操作，所述PWM电路用于基于所述命令来调整用于控制将在所述破坏性RF环境中操作的一个或多个组件的设置。
用于 rf 环境中的装置控制方法系统

[发明专利]利用冷却的静电吸盘的半导体处理-CN202280006308.X在审
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;A·施密特;S·D·普劳蒂;A·A·努贾伊姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施例涉及基板支撑组件。基板支撑组件包括ESC基座组件、设施板、和密封组件，ESC基座组件具有设置在其中的基座通道，设施板与ESC基座组件耦接，设施板与ESC基座组件之间具有真空区域。密封组件包括上凸缘、下凸缘、垫片、和绝缘管，上凸缘耦接到ESC基座组件的基座通道，上凸缘设置在设施板中，下凸缘耦接到上凸缘，下凸缘设置在设施板中，垫片设置在上凸缘和下凸缘之间，绝缘管耦接到下凸缘。通路连接到基座通道，通路由上凸缘、垫片、下凸缘、绝缘管、和基座组件的连接的开口限定。
利用冷却静电吸盘半导体处理

[发明专利]晶片边缘环升降解决方案-CN202310233773.3在审
发明人： M·R·赖斯;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;S·E·巴巴扬;O·卢艾莱;D·M·库萨;I·尤瑟夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
晶片边缘升降解决方案

[发明专利]用于半导体工艺模块的原位设备-CN201811106975.7有效
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;A·施密特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开一种在载体上传送边缘环的方法。
用于半导体工艺模块原位设备

[发明专利]晶片边缘环升降解决方案-CN201680067775.8有效
发明人： M·R·赖斯;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;S·E·巴巴扬;O·卢艾莱;D·M·库萨;I·尤瑟夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
晶片边缘升降解决方案

[发明专利]低温静电吸盘-CN202080062352.3有效
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;Á·加西亚德戈罗多;A·施密特;A·A·努贾伊姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文描述的实施例涉及基板支撑组件，所述基板支撑组件使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作，使得设置在基板支撑组件上的基板维持在适合进行处理的低温处理温度下，同时使处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)、ESC底座组件和设施板，ESC底座组件耦接至ESC、具有设置在ESC底座组件中的底座通道，且设施板具有设置在设施板中的设施通道。设施板包括板部分和壁部分。板部分耦接至ESC底座组件，且壁部分由密封组件耦接至ESC。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。
低温静电吸盘

[发明专利]方位可调整的多区域静电夹具-CN202110960034.5在审
发明人：张纯磊;P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·乌尔斯特伦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布，将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括：递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
方位可调整区域静电夹具

[发明专利]方位可调整的多区域静电夹具-CN201680023970.0有效
发明人：张纯磊;P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·乌尔斯特伦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布，将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括：递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
方位可调整区域静电夹具

[发明专利]低温静电吸盘-CN201980072880.4在审
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;Á·加西亚德戈罗多;A·施密特;A·A·努贾伊姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文所述实施例涉及一种基板支撑组件，所述基板支撑组件实现静电吸盘(ESC)的低温操作，使得设置在静电吸盘(ESC)上的基板被维持在适用于处理的低温处理温度，同时将处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包含：静电吸盘(ESC)，耦合至ESC的ESC底座组件，ESC底座组件具有设置在ESC底座组件中的底座通道，以及具有设置在设施板中的设施通道的设施板。设施板包含板部分和壁部分。板部分耦合至ESC底座组件并且壁部分使用密封组件耦合至ESC。真空区域由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分、以及密封组件来限定。
低温静电吸盘

[发明专利]低压升降杆腔硬件-CN201780047362.8有效
发明人： M·T·尼科尔斯;I·尤瑟夫;J·A·奥马利三世;S·E·巴巴扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。第一泵路径将处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的排气口。第二泵路径将基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的抽气区域。第一阀位于第一泵路径中。第一阀可在第一状态和第二状态之间配置。第二阀位于第二泵路径中。第二阀可在第一状态和第二状态之间配置。
低压升降硬件

[发明专利]热重复性和原位喷头温度监测-CN201711021998.3有效
发明人： T·J·富兰克林;S·E·巴巴扬;P·A·克劳思 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了热重复性和原位喷头温度监测。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面对接，使得在气体分配板与一个或多个温度检测组件中的每一者之间形成热结合。每个温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面对接，使得轴向负载沿着突出特征的轴线而放置在气体分配板上。温度探测器定位在突出特征的主体中。
重复性原位喷头温度监测

[发明专利]用于在RF环境中的装置的控制架构-CN201580001480.6有效
发明人： P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·A·马洛尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H04L25/49 文献下载
摘要：一种系统包括用于生成命令的处理装置，所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述系统进一步包括耦接至所述处理装置的第一转换器，用于接收所述命令并将所述命令转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述系统进一步包括第二转换器，所述第二转换器配置成用于在破坏性射频(RF)环境中操作，所述第二转换器用于接收所述命令并将所述命令往回转换为在传导性通信链路上可传输的格式，随后将所述命令传送至脉冲宽度调制(PWM)电路。所述PWM电路耦接至所述第二转换器，并且配置成用于在所述破坏性RF环境中操作，所述PWM电路用于基于所述命令来调整用于控制将在所述破坏性RF环境中操作的一个或多个组件的设置。
用于 rf 环境中的装置控制架构

[实用新型]用于支撑边缘环的载体和机械叶片-CN201821554985.2有效
发明人： Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;A·施密特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的各个方面总体上涉及用于支撑边缘环的载体和机械叶片。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体，载体包括板，第一多个插口，第二多个插口，第一弓形支撑结构，第二弓形支撑结构。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片，包括基部，两个指状物，基部载体接合特征，指状物载体接合特征。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。
机械叶片支撑边缘插口弓形支撑指状物基部载体脱气腔室载体接合支撑结构支撑载体接合中支撑基部

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