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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用划割道图案来减少缺陷的集成电路-CN202080074719.3在审
发明人： A·萨利纳斯;W·K·麦克唐纳;S·A·约翰内斯梅耶尔;R·P·勒金;S·A·迈斯纳 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：在实例中，一种制造集成电路的方法包括将光掩模定位于光源与半导体晶片之间，所述半导体晶片在所述晶片的晶片划割道中具有光致抗蚀剂层，其中所述光掩模包括：第一掩模划割道图案；第二掩模划割道图案，其匹配所述第一掩模划割道图案；及所述集成电路的至少一个电路图案，其位于所述第一与第二掩模划割道图案之间(802)。所述方法进一步包含照明所述光掩模以在所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层中产生对应于所述第二掩模划割道图案的第一经曝光部分(804)；将所述第一掩模划割道图案定位于所述光源与所述第一经曝光部分之间(806)；及照明所述光掩模，其中所述第一掩模划割道图案大体上屏蔽所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层的未曝光部分以免于曝光(808)。
利用划割道图案减少缺陷集成电路

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