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[发明专利]非重熔焊料强化接头-CN202211174771.3在审
发明人：单博涵;陈昊博;O·卡尔哈德;M·桑卡拉苏布拉玛尼安;徐定颖;段刚;聂白;X·郭;K·达尔马韦卡尔塔;冯红霞;S·皮耶塔姆巴拉姆;J·D·埃克顿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本文公开了一种非重熔焊接头，该非重熔焊接头可以消除下游回流工艺中的管芯或基板移动。在一个示例中，在两个基板之间的一个或多个焊接头可以形成为全IMC(金属间化合物)焊接头。在一个示例中，全IMC焊接头包括金属间化合物的连续层(例如，从顶部焊盘到底部焊盘)。在一个示例中，可以通过在将被接合在一起的一个或两个基板的焊盘中的一些焊盘上分配非重熔焊膏来形成全IMC接头。
熔焊强化接头

[发明专利]增加玻璃芯厚度的方法和装置-CN202210921003.3在审
发明人： J·埃克顿;B·马林;S·皮耶塔姆巴拉姆;聂白 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了增加玻璃芯厚度的方法和装置。示例装置包括第一玻璃衬底、第二玻璃衬底、在第一玻璃衬底与第二玻璃衬底之间的界面层、以及互连，界面层将第一玻璃衬底耦接到第二玻璃衬底，互连延伸穿过第一玻璃衬底的至少一部分以及第二玻璃衬底的至少一部分。
增加玻璃厚度方法装置

[发明专利]用以将寄主管芯嵌入到衬底中的方法和设备-CN202211002924.6在审
发明人： S·派塔尔;段刚;S·皮耶塔姆巴拉姆;Y·金冈;T·恩杜库姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了将寄主管芯嵌入到衬底中的方法和设备。一种设备包括具有第一面和与第一面相反的第二面的第一管芯。第一面包括与第二管芯电耦接的第一触点。第二面包括第二触点。该设备进一步包括衬底，该衬底包括金属层和位于该金属层上的电介质材料。第一管芯被包封到该电介质材料内。第一管芯的第二触点键合至该金属层，该键合不依赖于粘合剂。
用以寄主管芯嵌入衬底中的方法设备

[发明专利]集成电路器件组件之间的光通信-CN202210563290.5在审
发明人： A·阿格拉瓦尔;B·董;R·马哈詹;D·马利克;S·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：可以形成集成电路封装，其包括第一集成电路组件、第二集成电路组件和在其间传输光信号的装置。可以利用与第一集成电路组件的至少一个波导相邻的第一透镜或第一微透镜阵列以及与第二集成电路组件的至少一个波导相邻的第二透镜或第二微透镜阵列来有助于该光信号传输，其中光信号跨第一透镜/微透镜阵列与第二透镜/微透镜阵列之间的间隙传送。在另外的实施例中，光信号传输组件可以包括在第一集成电路组件的至少一个波导和第二集成电路组件的至少一个波导之间的至少一个光子桥。
集成电路器件组件之间光通信

[发明专利]用于电子衬底的混合导电过孔-CN202210417164.9在审
发明人： S·皮耶塔姆巴拉姆;R·马内帕利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种电子衬底，其可以被制造为包括具有上表面的细间距电介质层、在细间距电介质层的上表面上的粗间距电介质层、以及延伸穿过细间距电介质层和粗间距电介质层的至少一个混合导电过孔。制造混合导电过孔，使得其延伸穿过细间距电介质层的部分小于延伸穿过粗间距电介质层的部分，这导致了阶梯结构，其中混合导电过孔的一部分邻接细间距电介质层的上表面。在本说明书的实施例中，集成电路封装可以与电子衬底一起形成，其中至少两个集成电路器件可以附接到电子衬底，使得电桥在其间提供器件到器件互连。
用于电子衬底混合导电

[发明专利]具有图案化的玻璃电介质层-CN202080058507.6在审
发明人：孔㛃莹;段刚;S·皮耶塔姆巴拉姆;P·郭;D·塞纳维拉特纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开内容的实施例可以总体上涉及针对用于封装的制造工艺流程的系统、装置和/或工艺，该封装包括一个或多个玻璃层，该玻璃层包括封装内的图案化特征，例如导电迹线、RDL和过孔。在实施例中，封装可以包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的玻璃层，其中，玻璃层是电介质层。封装可以包括与玻璃层的第一侧耦接的另一层，以及在玻璃层的第二侧上的图案，以在图案的至少一部分中接收沉积材料。
具有图案玻璃电介质

[发明专利]IC封装中的平面内电感器-CN202011470117.8在审
发明人： B·C·马林;T·易卜拉欣;P·查特吉;H·哈里里;Y·邓;S·C·李;S·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)封装衬底，其包括嵌入在电介质材料内的磁性材料。电介质材料的第一表面在磁性材料下方，并且电介质材料的与第一表面相对的第二表面在磁性材料之上。包括第一金属特征的金属化层嵌入在磁性材料内。第二金属特征在磁性材料和电介质材料的界面处。第二金属特征具有与电介质材料接触的第一侧壁和与磁性材料接触的第二侧壁。
ic 封装中的平面电感器

[发明专利]用于IC芯片的嵌套插入体封装-CN202010214686.X在审
发明人： D·马利克;R·马哈詹;R·赞克曼;R·马内帕利;S·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和形成电子封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括插入体，其中，所述插入体包括穿过所述插入体的腔室、贯穿插入体过孔(TIV)、以及电耦合到所述TIV的插入体焊盘。在实施例中，所述电子封装还包括：在所述腔室中的嵌套部件，其中，所述嵌套部件包括部件焊盘；以及管芯，通过第一互连耦合到所述插入体焊盘并通过第二互连耦合到所述部件焊盘。在实施例中，所述第一互连和所述第二互连均包括：中间焊盘；以及在所述中间焊盘之上的凸块。
用于 ic 芯片嵌套插入封装

[发明专利]用于异质管芯集成应用的具有EMIB和玻璃芯的混合扇出架构-CN201980020514.4在审
发明人： S·皮耶塔姆巴拉姆;R·马内帕利;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装以及形成这样的封装的方法。在实施例中，微电子器件封装可以包括再分布层(RDL)和RDL之上的内插器。在实施例中，玻璃芯可以形成在RDL之上并且包围内插器。在实施例中，微电子器件封装还可以包括内插器之上的多个管芯。在实施例中，多个管芯与内插器通信耦合。
用于管芯集成应用具有 emib 玻璃混合架构

[发明专利]可图案化的管芯附接材料和用于图案化的工艺-CN202010197404.X在审
发明人：聂白;段刚;S·皮耶塔姆巴拉姆;J·琼斯;Y·金冈;冯红霞;徐定颖;R·马内帕利;S·派塔尔;K·达尔马韦卡尔塔;Y·李;M·焦;C·张;M·廷吉;韩程圭;陈昊博 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种管芯组件。该管芯组件包括管芯、管芯的第一表面上的一个或多个管芯焊盘以及管芯上的管芯附接膜，其中管芯附接膜包括暴露一个或多个管芯焊盘并且延伸到管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。
图案管芯材料用于工艺

[发明专利]可弯曲并且可拉伸的电子器件和方法-CN201480003748.5有效
发明人： A·利万德;T·安徳留先科夫;D·斯坦斯;M·科布林斯基;A·阿列克索夫;D·塞纳维拉特纳;J·索托冈萨雷斯;S·皮耶塔姆巴拉姆;R·伊斯拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本文总体上论述了可以包括可拉伸并且可弯曲的器件的系统和方法。根据示例，方法可以包括(1)将第一弹性体材料沉积在面板上；(2)将迹线材料层压在所述弹性体材料上，(3)处理所述迹线材料以将所述迹线材料图案化成一个或多个迹线以及一个或多个接合焊盘，(4)将管芯附接到所述一个或多个接合焊盘，或者(5)将第二弹性体材料沉积在所述一个或多个迹线、所述接合焊盘以及所述管芯上和周围，以包封所述第一和第二弹性体材料中的所述一个或多个迹线以及所述一个或多个接合焊盘。
迹线弹性体材料接合焊盘管芯拉伸沉积材料图案化电子器件可弯曲的材料层可弯曲包封

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